| 講演名 | 2008-07-09 Guidelines for the threshold voltage control of metal/HfSiON system(Session2: Silicon Devices I) , |
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| 抄録(和) | |
| 抄録(英) | The threshold control of metal/HfSiON gate stack is an important issue for the high-speed, low-power-consumption CMOS ULSI fabrication. Guidelines for the control of effective work function of the system are introduced, based upon several electrical experiments as well as physical analysis. Effective work function, φ_ |
| キーワード(和) | |
| キーワード(英) | MOS FET / Metal Gate / High-k / Work function / Threshold Voltage |
| 資料番号 | ED2008-43,SDM2008-62 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2008/7/2(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Guidelines for the threshold voltage control of metal/HfSiON system(Session2: Silicon Devices I) |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | / MOS FET |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | / Akira Nishiyama |
| 第 1 著者 所属（和/英） | Advanced LSI Technology Laboratory, Corporate R & D Center, Toshiba Corporation |
| 発表年月日 | 2008-07-09 |
| 資料番号 | ED2008-43,SDM2008-62 |
| 巻番号（vol） | vol.108 |
| 号番号（no） | 121 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |