| 講演名 | 2008-07-09 AlGaN/GaN-based Electron Devices with Low-temperature GaN Cap Layer(Session1: Compound Semiconductor Devices) , |
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| 抄録(和) | |
| 抄録(英) | We review our studies on AlGaN/GaN-based electron devices with a low-temperature GaN (LT-GaN) cap layer, such as heterostructure field-effect transistors (HFETs) and Schottky barrier diodes (SBDs). Novel HFETs with a LT-GaN cap layer have been proposed and fabricated, and we found that by using this LT-GaN cap layer as a gate insulator and providing surface passivation helps to significantly suppress current collapse and gate leakage in AlGaN/GaN HFETs. Furthermore, the combination of a LT-GaN cap layer and SiN film for the surface passivation led to both the suppression of current collapse and no significant degradation in the gate-drain breakdown voltage. We also investigated the correlation between the crystalline quality of LT-GaN cap layers and the current collapse in AlGaN/GaN HFETs, and found that a polycrystalline structure provides the most effective LT-GaN cap layer for suppressing current collapse. AlGaN/GaN SBDs using a LT-GaN cap layer to provide edge termination were also fabricated on Si substrates. The collapse-free AlGaN/GaN SBDs exhibited a high breakdown voltage of 1530V. |
| キーワード(和) | |
| キーワード(英) | AlGaN/GaN / low-temperature GaN / SBD / HFET / contact resistance / current collapse / leakage current / breakdown voltage / enhancement-mode |
| 資料番号 | ED2008-41,SDM2008-60 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2008/7/2(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
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| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | AlGaN/GaN-based Electron Devices with Low-temperature GaN Cap Layer(Session1: Compound Semiconductor Devices) |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | / AlGaN/GaN |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | / Tadayoshi Deguchi |
| 第 1 著者 所属（和/英） | Advanced Technology Center, Research Laboratory, New Japan Radio Co., Ltd. |
| 発表年月日 | 2008-07-09 |
| 資料番号 | ED2008-41,SDM2008-60 |
| 巻番号（vol） | vol.108 |
| 号番号（no） | 121 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |