| 講演名 | 2008-07-09 Narrow-gap III-V semiconductor technology : lattice-mismatched growth and epitaxial lift-off for heterogeneous integration(Session1: Compound Semiconductor Devices) , |
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| 抄録(和) | |
| 抄録(英) | Narrow-gap III-V semiconductors, such as InAs, InGaAs/InAlAs with high indium compositions, InSb, and InGaSb/InAlSb, are promising material systems for high-speed and low-power-consumption electron device applications. In this article, we discuss lattice-mismatched growth of the narrow-gap semiconductors on GaAs substrates, focusing on the behaviors and properties of crystalline defects. In addition, we present our proposal and results of epitaxial lift-off technology for the lattice-mismatched growth of the narrow-gap semiconductors. We consider that this technology will open up new possibilities of heterogeneous integration of the narrow-gap semiconductor devices. |
| キーワード(和) | |
| キーワード(英) | narrow-gap semiconductors / InAs / InGaAs/InAlAs / InSb / InGaSb/InAlSb / lattice-mismatched growth / crystalline defects / epitaxial lift-off / heterogeneous integration |
| 資料番号 | ED2008-40,SDM2008-59 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2008/7/2(から1日開催) |
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| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Narrow-gap III-V semiconductor technology : lattice-mismatched growth and epitaxial lift-off for heterogeneous integration(Session1: Compound Semiconductor Devices) |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | / narrow-gap semiconductors |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | / Toshi-kazu SUZUKI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | Center for Nano Materials and Technology, Japan Advanced Institute of Science and Technology (JAIST) |
| 発表年月日 | 2008-07-09 |
| 資料番号 | ED2008-40,SDM2008-59 |
| 巻番号（vol） | vol.108 |
| 号番号（no） | 121 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |