講演名 2008-07-09
III-V Semiconductor Epitaxial Nanowires and Their Applications(Plenary Session)
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抄録(和)
抄録(英) III-V semiconductor nanowires were grown by selective area metalorganic vapor phase epitaxy on (111) oriented substrate. Here, we discus uniform growth of nanowire array and their optical transport device applications.
キーワード(和)
キーワード(英) Nanowire / GaAs / Inp / MOVPE
資料番号 ED2008-39,SDM2008-58
発行日

研究会情報
研究会 ED
開催期間 2008/7/2(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Electron Devices (ED)
本文の言語 ENG
タイトル(和)
サブタイトル(和)
タイトル(英) III-V Semiconductor Epitaxial Nanowires and Their Applications(Plenary Session)
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) / Nanowire
第 1 著者 氏名(和/英) / Takashi FUKUI
第 1 著者 所属(和/英)
Research Center for Integrated Quantum Electronics, Hokkaido University:Graduate School of Information Science and Technology, Hokkaido University
発表年月日 2008-07-09
資料番号 ED2008-39,SDM2008-58
巻番号(vol) vol.108
号番号(no) 121
ページ範囲 pp.-
ページ数 1
発行日