| 講演名 | 2008-07-17 カーボンナノチューブ素子におけるデバイスと回路のCo-Design : カーボンナノチューブがシリコンCMOSを凌駕するためには?(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用) 藤田 忍, |
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| 抄録(和) | 将来、シリコン(Si)CMOSを置き換える新材料(ポストSi)素子が期待される。本論文では、素子と回路のCo-designの観点から、種種の半導体材料を比較し、カーボンナノチューブ(CNT)が最も有力な候補の一つであることを述べる。さらに、CNTを使った2種類の素子、つまりトランジスタ(CNFET)と、ナノスケールの電気機械的スイッチ素子(NEMS)が、いくつかの具体的な回路でCMOSを凌駕するための要件を分析した。 |
| 抄録(英) | Emerging devices using new materials (post-Si) are expected to replace Si-based MOSFET in future. This paper firstly clarifies carbon-nanotube (CNT) is the most promising candidate for it by analyzing based on "co-design" of future CMOS. Also, this paper assesses requirement for two kinds of CNT-based devices, FETs (CNFET) and nano-electromechanical-switches (NEMS), to be beyond Si based CMOS performance of some circuits. |
| キーワード(和) | カーボンナノチューブ(CNT) / CNFET / NEMS / ポストシリコン |
| キーワード(英) | Carbon nanotube / CNT / CNFET / NEMS / post-Si |
| 資料番号 | SDM2008-138,ICD2008-48 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2008/7/10(から1日開催) |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | カーボンナノチューブ素子におけるデバイスと回路のCo-Design : カーボンナノチューブがシリコンCMOSを凌駕するためには?(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Co-design of CNT based devices and circuitry : How can CNT-based circuit overcome Si-CMOS? |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | カーボンナノチューブ(CNT) / Carbon nanotube |
| キーワード(2)（和/英） | CNFET / CNT |
| キーワード(3)（和/英） | NEMS / CNFET |
| キーワード(4)（和/英） | ポストシリコン / NEMS |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 藤田 忍 / Shinobu FUJITA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | (株)東芝研究開発センター Toshiba Corporation, R&D Center |
| 発表年月日 | 2008-07-17 |
| 資料番号 | SDM2008-138,ICD2008-48 |
| 巻番号（vol） | vol.108 |
| 号番号（no） | 139 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |