| 講演名 | 2008-07-18 先端不揮発性メモリのBiCS型積層化に関する検討 : BiCS型FeRAM、MRAMの基礎検討(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用) 渡辺 重佳, 菅野 孝一, 玉井 翔人, |
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| 抄録(和) | はじめにFeRAM、MRAM,PRAM,ReRAM等のNAND型フラッシュメモリの次世代の先端不揮発性メモリの現実的な将来展望について述べた。次にBiCSを用いたNAND型フラッシュメモリ並みの超低コストと、NAND型フラッシュメモリよりも格段に優れた高速性能を併せ持つ超低コストユニバーサルメモリを実現する際に必要な条件に関して検討した。超低コストで高速アクセスが可能な不揮発性メモリを実現するためには、縦型の1トランジスタ型を縦に直列接続し、ゲート電圧によって基本的なランダムな読み出し、書き込み、消去が出来る必要性がある。最後にその具体的な事例として1トランジスタ型FeRAM、Chain型FeRAM、1トランジスタ型MRAMの積層化に関する基礎検討を行った。 |
| 抄録(英) | The realistic future trend of non-volatile semiconductor memory - FeRAM, MRAM, PRAM, ReRAM-compared with NAND type flash memory based on the history, market, and its performance has been described. Next, the feasibility study of ultra-low-cost high-speed universal non-volatile memory has been achieved based on the cost analysis of BiCS type NAND flash memory. Vertical one transistor type memory cell which can be connected in series and randomly accessed using the gate control voltage will be the promising candidates for this puropose. Finally as an example BiCS type 1 transistor FeRAM, chain FeRAM and 1 transistor MRAM bas been discussed. |
| キーワード(和) | 先端不揮発性メモリ / NAND型フラッシュメモリ / FeRAM / MRAM / PRAM / ReRAM / BiCS |
| キーワード(英) | Non-volatile memory / NAND type flash / FeRAM / MRAM / PRAM / ReRAM / BiCS |
| 資料番号 | SDM2008-145,ICD2008-55 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
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| 開催期間 | 2008/7/10(から1日開催) |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Integrated Circuits and Devices (ICD) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 先端不揮発性メモリのBiCS型積層化に関する検討 : BiCS型FeRAM、MRAMの基礎検討(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Realistic future trend of non-volatile semiconductor memory and feasibility study of ultra-low-cost high-speed universal non-volatile memory : feasibility study of BiCS type FeRAM and MRAM |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 先端不揮発性メモリ / Non-volatile memory |
| キーワード(2)（和/英） | NAND型フラッシュメモリ / NAND type flash |
| キーワード(3)（和/英） | FeRAM / FeRAM |
| キーワード(4)（和/英） | MRAM / MRAM |
| キーワード(5)（和/英） | PRAM / PRAM |
| キーワード(6)（和/英） | ReRAM / ReRAM |
| キーワード(7)（和/英） | BiCS / BiCS |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 渡辺 重佳 / Shigeyoshi Watanabe |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 湘南工科大学情報工学科 Department of Information Science, Shonan Institute of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 菅野 孝一 / Koichi Sugano |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 湘南工科大学情報工学科 Department of Information Science, Shonan Institute of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 玉井 翔人 / Shoto Tamai |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 湘南工科大学情報工学科 Department of Information Science, Shonan Institute of Technology |
| 発表年月日 | 2008-07-18 |
| 資料番号 | SDM2008-145,ICD2008-55 |
| 巻番号（vol） | vol.108 |
| 号番号（no） | 140 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |