| 講演名 | 2008-07-18 集積化MEMSのRF CMOSへの期待(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用) 益 一哉, |
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| 抄録(和) | MEMS (Micro Electro Mechanical Systems)技術は単なる微少機械を産み出しただけではなく、加速度センサー、圧力センサー、DMD (Digital Micromirror Device)など多くの新規デバイスと市場の創出につながった。一方で、Si CMOS技術は加工寸法の微細化によって、高速、低電力、高機能、低コスト化を実現してきた。Si CMOSの微細化過程において"集積化-Integration-"という概念が産み出され、単なる寸法微細化だけでは機能・性能さらには低コスト化が追求できなくなっているCMOS技術において、「異種機能・異種材料集積」や"Heterogeneous Integration"という旗印のもとSi CMOS技術は進化している。本稿では、 RF回路技術におけるMEMS技術の期待について論じる。集積化MEMSがRF CMOS技術と融合するためには、共通認識としての"CMOS Compatibility"という概念を明確にすることが第一歩であることを指摘する。すなわち、(1)プロセスレベル(Surface MEMS,Bulk MEMS)、(2)実装レベル、(3)信号レベル、(4)信頼性・歩留まり、テスト、(5)設計レベル(CAD)などの各階層において、MEMS技術とSi CMOS技術のCompatibilityとは何であるかを明確にして技術開発することが必要である。 |
| 抄録(英) | MEMS (Micro Electro Mechanical Systems) technology have produced not only micro-machine, but also novel devices and markets, such as accelerometers, pressure sensor, DMD (Digital Micromirror Device), etc. On the other hand, CMOS performance have become high speed, low consumption power, low cost according to dimensional miniaturization. During CMOS evolution, the concept of "Integration" has produced. However, further high functionality and performance with cost reduction become difficult by the simple scaling and miniaturization. "Many-Function Integration", "Different Material Integration", and "Heterogeneous Integration", will become important. In this paper, we discussed the recent progress of RF MEMS technology. It will be pointed out that we have to discuss what is "CMOS compatibility". CMOS compatibility should be discussed (1) Process level (Surface MEMS, Bulk MEMS), (2)Packaging lvel, (3) Signal level, (4) Reliability, Yield and Testing level, (5) Design level (CAD). |
| キーワード(和) | MEMS / RF CMOS / 可変受動素子 / マルチバンド無線機 / 再構成可能回路技術 |
| キーワード(英) | MEMS / RF CMOS / Variable passive devices / multiband transceiver / reconfigurable RF circuit |
| 資料番号 | SDM2008-144,ICD2008-54 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
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| 開催期間 | 2008/7/10(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Integrated Circuits and Devices (ICD) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 集積化MEMSのRF CMOSへの期待(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | RF MEMS for Reconfigurable CMOS Radio |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | MEMS / MEMS |
| キーワード(2)（和/英） | RF CMOS / RF CMOS |
| キーワード(3)（和/英） | 可変受動素子 / Variable passive devices |
| キーワード(4)（和/英） | マルチバンド無線機 / multiband transceiver |
| キーワード(5)（和/英） | 再構成可能回路技術 / reconfigurable RF circuit |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 益 一哉 / Kazuya MASU |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東京工業大学統合研究院 Integrated Research Institute, Tokyo Institute of Technology |
| 発表年月日 | 2008-07-18 |
| 資料番号 | SDM2008-144,ICD2008-54 |
| 巻番号（vol） | vol.108 |
| 号番号（no） | 140 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 2 |
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