講演名 2008-07-18
無線/光配線による三次元集積の課題と展望(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
岩田 穆, 横山 新,
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抄録(和) 集積規模拡大,性能向上のために有効な三次元集積では積層チップ間インタコネクションが重要課題である.現在,ワイヤボンディングによるチップ積層が用いられているが,シリコン貫通ビアを用いた三次元集積が開発され実用間近になっている.しかし,テスト技術,KGD,放熱などの課題が残されている.電気接続によらない方法として,光配線による三次元集積も古くから研究されおり,近年は電磁結合,静電結合,電磁波結合による無線接続も三次元集積への適用が着目されている.各無線方式は接続距離に特徴を持っており,特別の部品が不要であり,貫通ビアより高速,低電力なデータ転送ができる.また,信頼性も対雑音特性を考慮して設計すれば電気配線と比べて劣らない.将来,接続技術は特徴を活かして複合され三次元集積に適用されるであろう.
抄録(英) In 3-D integration technology which aims to enhance integration scale and performance, chip-to-chip interconnection is the most important issue. At present, 3-D integration using trough Si via (TSV) are intensively developed targeting a large capacity memory. However, problems in testing and heat spread are not resolved. For 20 years, 3-D integration using optical interconnect has been studied. Recently, inductor coupling, capacitor coupling and antenna coupling have been studied to realize higher data rate with lower power dissipation comparing with the TSV method. If system is designed with sufficient noise margin, reliability of wireless interconnections does not degrade comparing with vias. In the future, these interconnections are combined and introduced to 3-D integration utilizing each features.
キーワード(和) シリコン貫通ビア / 光インタコネクト / 電磁結合 / 静電結合 / 電磁波結合
キーワード(英) trough silicon via (TSV) / optical interconnection / inductor coupling / capacitor coupling / radio wave coupling
資料番号 SDM2008-143,ICD2008-53
発行日

研究会情報
研究会 ICD
開催期間 2008/7/10(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Integrated Circuits and Devices (ICD)
本文の言語 JPN
タイトル(和) 無線/光配線による三次元集積の課題と展望(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
サブタイトル(和)
タイトル(英) Problems and Prospect of 3D Integration using Wireless and Optical Interconnection Technologies
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) シリコン貫通ビア / trough silicon via (TSV)
キーワード(2)(和/英) 光インタコネクト / optical interconnection
キーワード(3)(和/英) 電磁結合 / inductor coupling
キーワード(4)(和/英) 静電結合 / capacitor coupling
キーワード(5)(和/英) 電磁波結合 / radio wave coupling
第 1 著者 氏名(和/英) 岩田 穆 / Atsushi IWATA
第 1 著者 所属(和/英) 広島大学大学院先端物質科学研究科
Graduate School of Advanced Sciences of Matter, Hiroshima University
第 2 著者 氏名(和/英) 横山 新 / Shin YOKOYAMA
第 2 著者 所属(和/英) 広島大学ナノデバイス・バイオ融合科学研究所
Research Institute for Nanodevice and Bio Systems, Hiroshima University
発表年月日 2008-07-18
資料番号 SDM2008-143,ICD2008-53
巻番号(vol) vol.108
号番号(no) 140
ページ範囲 pp.-
ページ数 6
発行日