| 講演名 | 2008-07-18 突入電流バイパス電源配線を用いて1μs以内で電源復帰できるパワーゲーティング技術(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用) 中山 耕一, 川崎 健一, 塩田 哲義, 井上 淳樹, |
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| 抄録(和) | 低消費電力SoC向けに1μs以内で電源復帰可能なパワーゲーティング技術を開発した。本技術の特徴は、電源復帰時に発生する電源ノイズを抑制するため、突入電流をバイパスさせる専用の電源配線と電源スイッチを用いることにある。今回2つの異なるプロセッサコアを備える低消費電力SoCを90nm CMOSテクノロジを用いて試作し、本技術を適用した。この結果、電源ノイズを2.5mVに抑制しつつ、200万ゲート規模の回路を0.24μsで電源復帰が可能なことを実証した。 |
| 抄録(英) | A sub-μs wake-up power gating technique was developed for low power SOCs. It uses two types of power switches and separated power lines bypassing rush current to suppress power supply voltage fluctuations. We applied this technique to a heterogeneous dual-core microprocessor fabricated in 90nm CMOS technology. When wake-up time on the 2M-gate scale circuit was set to 0.24μs, the supply voltage fluctuation was suppressed to 2.5mV. |
| キーワード(和) | 待機時リーク電力 / 電源遮断 / 復帰時間 / 突入電流 / 電源ノイズ / パワーゲーティング |
| キーワード(英) | stand-by leakage / power gating / wake-up time and rush current noise |
| 資料番号 | SDM2008-141,ICD2008-51 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
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| 開催期間 | 2008/7/10(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Integrated Circuits and Devices (ICD) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 突入電流バイパス電源配線を用いて1μs以内で電源復帰できるパワーゲーティング技術(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | A Sub-μs Wake-up Time Power Gating Technique with Bypass Power Line for Rush Current Support |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 待機時リーク電力 / stand-by leakage |
| キーワード(2)（和/英） | 電源遮断 / power gating |
| キーワード(3)（和/英） | 復帰時間 / wake-up time and rush current noise |
| キーワード(4)（和/英） | 突入電流 |
| キーワード(5)（和/英） | 電源ノイズ |
| キーワード(6)（和/英） | パワーゲーティング |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 中山 耕一 / Koichi NAKAYAMA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | (株)富士通研究所 Fujitsu Laboratories LTD. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 川崎 健一 / Ken-ichi KAWASAKI |
| 第 2 著者 所属（和/英） | (株)富士通研究所 Fujitsu Laboratories LTD. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 塩田 哲義 / Tetsuyoshi SHIOTA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | (株)富士通研究所 Fujitsu Laboratories LTD. |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 井上 淳樹 / Atsuki INOUE |
| 第 4 著者 所属（和/英） | (株)富士通研究所 Fujitsu Laboratories LTD. |
| 発表年月日 | 2008-07-18 |
| 資料番号 | SDM2008-141,ICD2008-51 |
| 巻番号（vol） | vol.108 |
| 号番号（no） | 140 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
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