| 講演名 | 2008-07-18 サブスレッショルド領域で動作する低消費電力LSIの高速化の検討(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用) 鶴窪 淳, 渡辺 重佳, |
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| 抄録(和) | 本論文では、サブスレッショルド領域で動作する低電力LSIの高速化の基礎検討を行った。従来通常動作するLSIの高速化手法として使用されている3種の典型例で比較した所、DTMOS動作が最も効果的で遅延時間を通常動作時の1/15～1/20に低減出来る事が分かった。 |
| 抄録(英) | Feasibility study for high-speed low-power system LSI for sub-threshold operation has been described. Three typical high-speed scheme for nominal operation has been adopted to the sub-threshold operations. DTMOS is the most effective scheme for sub-threshold operation and the delay time can be reduced to 1/15～1/20 compared with the nominal operation. |
| キーワード(和) | サブスレッショルド動作 / 並列処理 / DTMOS動作 / しきい値電圧 / 電源電圧 |
| キーワード(英) | sub-threshold operation / parallel processing / DTMOS / threshold voltage / supply voltage |
| 資料番号 | SDM2008-139,ICD2008-49 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
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| 開催期間 | 2008/7/10(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Integrated Circuits and Devices (ICD) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | サブスレッショルド領域で動作する低消費電力LSIの高速化の検討(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Study of high-speed low-power system LSI for sub-threshold operation |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | サブスレッショルド動作 / sub-threshold operation |
| キーワード(2)（和/英） | 並列処理 / parallel processing |
| キーワード(3)（和/英） | DTMOS動作 / DTMOS |
| キーワード(4)（和/英） | しきい値電圧 / threshold voltage |
| キーワード(5)（和/英） | 電源電圧 / supply voltage |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 鶴窪 淳 / Makoto TSURUKUBO |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 湘南工科大学大学院電気情報工学専攻 Graduate school of Electrical and Information Engineering, Shonan Institute of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 渡辺 重佳 / Shigeyoshi WATANABE |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 湘南工科大学大学院電気情報工学専攻 Graduate school of Electrical and Information Engineering, Shonan Institute of Technology |
| 発表年月日 | 2008-07-18 |
| 資料番号 | SDM2008-139,ICD2008-49 |
| 巻番号（vol） | vol.108 |
| 号番号（no） | 140 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
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