| 講演名 | 2008-07-17 独立したゲートを持つスタック型3次元トランジスタによるシステムLSIの設計法(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用) 廣島 佑, 渡辺 重佳, |
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| 抄録(和) | 独立したゲートを持つダブルゲートトランジスタと,スタック型3次元トランジスタの特徴を併せ持つ独立したゲートを持つスタック型3次元トランジスタを提案した.提案方式を用いてパターン面積の縮小効果をインバータ,NAND,NOR等の基本論理回路でまず定量的に検証した.その後これらの基本回路の組み合わせで構成される実際の通信用システムLSI,DRAM用バッファ回路,配線領域のパターン面積を考慮に入れた1bit Full-Adder,4bit multiplexerへの適用検討を行ったところ従来の平面型トランジスタを用いた場合それぞれ24%,13%,28.5%,32.0%にパターン面積を縮小できることが分かった. |
| 抄録(英) | New design technology of Independent-Gate controlled Stacked type 3D transistor has feature of Independent-gate controlled Double-Gate transistor and Stacked type 3D transistor has been proposed. Using New design technology of Independent-Gate controlled Stacked type 3D transistor, pattern area of system LSI designed by cell library can be reduced to 48% compared with that using planar MOSFET. |
| キーワード(和) | 独立したゲートを持つダブルゲートトランジスタ / スタック型3次元トランジスタ / 基本論理回路 / システムLSI |
| キーワード(英) | Independent-gate controlled Double-Gate transistor / Stacked type 3D transistor / logic circuit / system LSI |
| 資料番号 | SDM2008-137,ICD2008-47 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
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| 開催期間 | 2008/7/10(から1日開催) |
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| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Integrated Circuits and Devices (ICD) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 独立したゲートを持つスタック型3次元トランジスタによるシステムLSIの設計法(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | New design technology of Independent-Gate controlled Stacked type 3D transistor for system LSI |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 独立したゲートを持つダブルゲートトランジスタ / Independent-gate controlled Double-Gate transistor |
| キーワード(2)（和/英） | スタック型3次元トランジスタ / Stacked type 3D transistor |
| キーワード(3)（和/英） | 基本論理回路 / logic circuit |
| キーワード(4)（和/英） | システムLSI / system LSI |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 廣島 佑 / Yu HIROSHIMA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 湘南工科大学大学院電気情報工学専攻 Graduate School of Electrical and Information Engineering,, Shonan Institute of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 渡辺 重佳 / Shigeyoshi Watanabe |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 湘南工科大学大学院電気情報工学専攻 Graduate School of Electrical and Information Engineering,, Shonan Institute of Technology |
| 発表年月日 | 2008-07-17 |
| 資料番号 | SDM2008-137,ICD2008-47 |
| 巻番号（vol） | vol.108 |
| 号番号（no） | 140 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |