| 講演名 | 2008-07-17 微細トランジスタにおける特性ばらつきの現状と将来動向(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用) 平本 俊郎, 竹内 潔, 角村 貴昭, / 西田 彰男, 蒲原 史朗, |
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| 抄録(和) | 微細トランジスタの特性ばらつきは,半導体技術のおける最大の問題の一つである.最先端の65nm技術におけるトランジスタの特性ばらつきの現状とばらつき要因解析の詳細についてまとめた.主な成果は下記のとおりである.(1)100万トランジスタのアレーを作成しNMOS,PMOSともにトランジスタのしきい値電圧のばらつきは±5σの範囲で正規分布であることを明らかにした.(2)デバイスサイズのみでなくV_ | やT_ | |
| 抄録(英) | The variability is one of the most critical issues for further miniaturization of MOS transistors. Although the variability may place the limit of MOS transistor scaling, the origins of characteristics variation of MOS transistors have not been fully understood. Intensive and extensive investigations have been performed in order to elucidate the origins of random variation in scaled MOSFETs in framework of the MIRAI Project. The main achievements are: (1) Designed 1M device-matrix-array TEG and found that V_ | distributions of both nFETs and pFETs show high normality in the range of ±5σ, (2) Developed a new normalization method of Vth fluctuations in terms not only of device size but also of V_ | and T_ |
| キーワード(和) | MOSFET / しきい値電圧 / ランダム不純物揺らぎ / ペルグロムプロット / 竹内プロット | ||
| キーワード(英) | MOSFET / Variability / Threshold voltage / Random dopant fluctuation / Pelgrom plot / Takeuchi plot | ||
| 資料番号 | SDM2008-135,ICD2008-45 | ||
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
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| 開催期間 | 2008/7/10(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Integrated Circuits and Devices (ICD) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 微細トランジスタにおける特性ばらつきの現状と将来動向(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Present Status and Future Trend of Characteristic Variations in Scaled CMOS |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | MOSFET / MOSFET |
| キーワード(2)（和/英） | しきい値電圧 / Variability |
| キーワード(3)（和/英） | ランダム不純物揺らぎ / Threshold voltage |
| キーワード(4)（和/英） | ペルグロムプロット / Random dopant fluctuation |
| キーワード(5)（和/英） | 竹内プロット / Pelgrom plot |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 平本 俊郎 / T. HIRAMOTO |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東京大学生産技術研究所:MIRAI-Selete Institute of Industrial Science, University of Tokyo:MIRAI-Selete |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 竹内 潔 / K. Takeuchi |
| 第 2 著者 所属（和/英） | MIRAI-Selete MIRAI-Selete |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 角村 貴昭 / T. Tsunomura |
| 第 3 著者 所属（和/英） | MIRAI-Selete MIRAI-Selete |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | / 西田 彰男 / Arifin T. Putra |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 東京大学生産技術研究所 Institute of Industrial Science, University of Tokyo |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 蒲原 史朗 / A. Nishida |
| 第 5 著者 所属（和/英） | MIRAI-Selete MIRAI-Selete |
| 発表年月日 | 2008-07-17 |
| 資料番号 | SDM2008-135,ICD2008-45 |
| 巻番号（vol） | vol.108 |
| 号番号（no） | 140 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |