| 講演名 | 2008-07-17 コンパクトモデルの進化 : 表面ポテンシャルを用いたHiSIMモデルの特徴(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用) 大黒 達也, 三浦 道子, |
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| 抄録(和) | LSI設計の基盤となるトランジスタのコンパクトモデルが代わりつつある。ここ10年間はCMOSデジタル回路に最適化されたVthベースのBSIM (Berkeley Short-Channel IGFET Model)が業界標準だったが、最近はアナログ回路やRF回路もCMOSで作る機会が増え,新しいモデルが必要になった。HiSIMを代表とする表面ポテンシャルモデルが、その期待に答えるべく脚光を浴びているが、どのような特徴やメリットがあるかについて御紹介する。 |
| 抄録(英) | HiSIM model based on the surface potential model has been popular because the model can accurately simulate analog and RF circuits. On the other hand, BSIM model based on Vth can not satisfy those circuit requirements. In this paper, the concepts of the surface potential model and the performance of HiSIM model are presented. |
| キーワード(和) | Compact model / Surface potential model / HiSIM model / BSIM model / Harmonic distortion |
| キーワード(英) | Compact model / Surface potential model / HiSIM model / BSIM model / Harmonic distortion / 1/f noise |
| 資料番号 | SDM2008-133,ICD2008-43 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
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| 開催期間 | 2008/7/10(から1日開催) |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Integrated Circuits and Devices (ICD) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | コンパクトモデルの進化 : 表面ポテンシャルを用いたHiSIMモデルの特徴(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Progress of compact model for CMOS circuit design : Performance of HiSIM model based on the surface potential model |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | Compact model / Compact model |
| キーワード(2)（和/英） | Surface potential model / Surface potential model |
| キーワード(3)（和/英） | HiSIM model / HiSIM model |
| キーワード(4)（和/英） | BSIM model / BSIM model |
| キーワード(5)（和/英） | Harmonic distortion / Harmonic distortion |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 大黒 達也 / Tatsuya Ohguro |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東芝セミコンダクター社:広島大学 Toshiba Semiconductor Company:Hiroshima University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 三浦 道子 / Michiko Miura-Mattausch |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 広島大学 Hiroshima University |
| 発表年月日 | 2008-07-17 |
| 資料番号 | SDM2008-133,ICD2008-43 |
| 巻番号（vol） | vol.108 |
| 号番号（no） | 140 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
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