| 講演名 | 2008-07-17 (100),(110)基板上High-κ/MetalゲートpMOSFETsのNBTIと1/fノイズ特性の相違に関する考察(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用) 佐藤 基之, 杉田 義博, 青山 敬幸, 奈良 安雄, 大路 譲, |
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| 抄録(和) | (110)基板は(100)基板上と比較して正孔の有効質量が実効的に小さいことから大きな正孔移動度が得られる。しかしながら、(110)面上のSi基板と酸化膜との界面準位密度は(100)面よりも多いことが知られている。また界面準位密度が高いのみではなく、そのP_bセンターと呼ばれる欠陥の状態が大きく異なる。P_bセンターには、P_ |
| 抄録(英) | Using (110) substarate is one of promissing candidate for pMOSTET boost technology. (110) surface shows not only higher interface defect density between Si substrate and oxide but also different nature diffect condtion (P_b center) compared to (100) surface. Both P_ |
| キーワード(和) | 負バイアス温度不安定性 / 1/fノイズ / (110)基板 / P_bセンター |
| キーワード(英) | NBTI / 1/f noise / (110) / P_b center |
| 資料番号 | SDM2008-128,ICD2008-38 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
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| 開催期間 | 2008/7/10(から1日開催) |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Integrated Circuits and Devices (ICD) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | (100),(110)基板上High-κ/MetalゲートpMOSFETsのNBTIと1/fノイズ特性の相違に関する考察(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Impact of the Different Nature of Interface Defect States on the NBTI and 1/f noise of High-κ/Metal Gate pMOSFETs between (100) and (110) Crystal Orientations |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 負バイアス温度不安定性 / NBTI |
| キーワード(2)（和/英） | 1/fノイズ / 1/f noise |
| キーワード(3)（和/英） | (110)基板 / (110) |
| キーワード(4)（和/英） | P_bセンター / P_b center |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 佐藤 基之 / Motoyuki SATO |
| 第 1 著者 所属（和/英） | (株)半導体先端テクノロジーズ Semiconductor Leading Edge Technologies Inc. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 杉田 義博 / Yoshihiro SUGITA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | (株)半導体先端テクノロジーズ Semiconductor Leading Edge Technologies Inc. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 青山 敬幸 / Takayuki AOYAMA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | (株)半導体先端テクノロジーズ Semiconductor Leading Edge Technologies Inc. |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 奈良 安雄 / Yasuo NARA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | (株)半導体先端テクノロジーズ Semiconductor Leading Edge Technologies Inc. |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 大路 譲 / Yuzuru OHJI |
| 第 5 著者 所属（和/英） | (株)半導体先端テクノロジーズ Semiconductor Leading Edge Technologies Inc. |
| 発表年月日 | 2008-07-17 |
| 資料番号 | SDM2008-128,ICD2008-38 |
| 巻番号（vol） | vol.108 |
| 号番号（no） | 140 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
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