| 講演名 | 2008-06-14 化合物半導体三重障壁共鳴トンネルダイオードの非線形等価回路パラメタの評価(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性,一般)) 井城 悠一, 品田 唱秋, 直井 護, 朝岡 直哉, 須原 理彦, 奥村 次徳, |
|---|---|
| PDFダウンロードページ |  PDFダウンロードページへ |
| 抄録(和) | 化合物半導体三重障壁共鳴トンネルダイオード(TBRTD)の非線形小信号等価回路の同定と回路素子成分のバイアス電圧依存性を実験的に評価した。GaInAs/AlInAs TBRTDのSパラメータを40GHzの範囲で測定し等価回路パラメータ抽出を行った。その結果,量子インダクタンス,量子キャパシタンスの非線形なバイアス電圧依存性がそれぞれ,微分負性コンダクタンスのバイアス依存性と一意の関係があることを実験的に検証した。 |
| 抄録(英) | For compound semiconductor triple-barrier resonant tunneling diodes (TBRTDs), nonlinear equivalent circuits and voltage dependence of circuit elements were experimentally evaluated. We measured S-parameters of GaInAs/AlInAs TBRTDs up to 40GHz and deembedded the circuit parameters. Quantum inductance and quantum capacitance are found to be related to the nonlinear negative differential conductance of the TBRTDs. |
| キーワード(和) | InGaAs/AlInAs / 三重障壁共鳴トンネルダイオード / 微分負性抵抗 / 非線形等価回路 / 量子キャパシタンス / 量子インダクタンス |
| キーワード(英) | InGaAs./AlInAs / Triple-barrier Resonant Tunneling diodes / Negative Differential Conductance / Nonlinear Equivalent Circuit / Quantum Capacitance / Quantum Inductance |
| 資料番号 | ED2008-33 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
|---|---|
| 開催期間 | 2008/6/6(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
|---|---|
| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 化合物半導体三重障壁共鳴トンネルダイオードの非線形等価回路パラメタの評価(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性,一般)) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Parameter Estimation of Nonlinear Equivalent Circuit in Compound Semiconductor Triple-Barrier Resonant Tunneling Diodes |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | InGaAs/AlInAs / InGaAs./AlInAs |
| キーワード(2)（和/英） | 三重障壁共鳴トンネルダイオード / Triple-barrier Resonant Tunneling diodes |
| キーワード(3)（和/英） | 微分負性抵抗 / Negative Differential Conductance |
| キーワード(4)（和/英） | 非線形等価回路 / Nonlinear Equivalent Circuit |
| キーワード(5)（和/英） | 量子キャパシタンス / Quantum Capacitance |
| キーワード(6)（和/英） | 量子インダクタンス / Quantum Inductance |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 井城 悠一 / Yuichi IKI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 首都大学東京大学院理工学研究科電気電子工学専攻 Department of Electrical and Electronic Engineering, Graduate School of Science & Engineering, Tokyo Metropolitan University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 品田 唱秋 / Masaaki SHINADA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東京都立大学工学部電子・情報工学科 Department of Electronic & Information Engineering, Faculty of Engineering |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 直井 護 / Mamoru NAOI |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 首都大学東京大学院理工学研究科電気電子工学専攻 Department of Electrical and Electronic Engineering, Graduate School of Science & Engineering, Tokyo Metropolitan University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 朝岡 直哉 / Naoya ASAOKA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 東京都立大学大学院工学研究科電気工学専攻 Department of Electrical Engineering, Graduate School of Engineering, Tokyo Metropolitan University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 須原 理彦 / Michihiko SUHARA |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 首都大学東京大学院理工学研究科電気電子工学専攻 Department of Electrical and Electronic Engineering, Graduate School of Science & Engineering, Tokyo Metropolitan University |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 奥村 次徳 / Tsugunori OKUMURA |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 首都大学東京大学院理工学研究科電気電子工学専攻 Department of Electrical and Electronic Engineering, Graduate School of Science & Engineering, Tokyo Metropolitan University |
| 発表年月日 | 2008-06-14 |
| 資料番号 | ED2008-33 |
| 巻番号（vol） | vol.108 |
| 号番号（no） | 87 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |