| 講演名 | 2008-06-13 ワイドバンドギャップ半導体用NドープAlSiO膜の特性評価(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性,一般)) 小松 直佳, 田中 裕崇, 青木 秀充, 松之内 恵子, 木村 千春, 奥村 幸彦, 杉野 隆, |
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| 抄録(和) | 現在のパワーデバイスは主にSiで作製されているが、Siパワーデバイスは物性で決まる理論的性能限界に近づいており、この限界を打破する半導体材料としてSiC、GaN、Diamondなどのワイドバンドギャップ半導体が研究されている。これらの半導体を用いたMOS-FETでは高温、高電圧下で安定な動作が要求され、特に、ゲートリーク電流の抑制が非常に重要になっている。ゲート絶縁膜には、広いバンドギャップと同時に高い誘電率も要求される。我々はこれまで、AlOにSiを添加することでリーク電流を抑制できることを報告してきた。今回、AlSiO膜にNを添加することにより250℃以上の高温領域においてもリーク電流を抑制できる効果を確認した。この結果は、AlSiON膜が、高温で動作するワイドギャップ半導体用のゲート絶縁膜へ応用できる可能性を示した。 |
| 抄録(英) | A gate insulator film with a wide bandgap and a high dielectric constant is required to achieve high power field effect transistor (FET) using wide bandgap semiconductors such as SiC, GaN and diamond. We find that the leakage current of N-doped AlSiO film can be suppressed in the high temperature region compared with AlSiO film. This result suggests that the AlSiON film is applicable to wide bandgap semiconductor devices for high temperature operation. |
| キーワード(和) | ワイドバンドギャップ / 高温動作 / パワーデバイス / 高誘電率 / MOS-FET / リーク電流 / 窒素添加 |
| キーワード(英) | wide bandgap / high temperature operation / power device / high-k / MOS-FET / leakage current / N doping |
| 資料番号 | ED2008-25 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2008/6/6(から1日開催) |
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| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | ワイドバンドギャップ半導体用NドープAlSiO膜の特性評価(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性,一般)) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Characterization of N-doped AlSiO film for wide bandgap semiconductors |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | ワイドバンドギャップ / wide bandgap |
| キーワード(2)（和/英） | 高温動作 / high temperature operation |
| キーワード(3)（和/英） | パワーデバイス / power device |
| キーワード(4)（和/英） | 高誘電率 / high-k |
| キーワード(5)（和/英） | MOS-FET / MOS-FET |
| キーワード(6)（和/英） | リーク電流 / leakage current |
| キーワード(7)（和/英） | 窒素添加 / N doping |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 小松 直佳 / Naoyoshi Komatsu |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 大阪大学大学院工学研究科 Graduate School of Engineering, Osaka University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 田中 裕崇 / Hirotaka Tanaka |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 大阪大学大学院工学研究科 Graduate School of Engineering, Osaka University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 青木 秀充 / Hidemitsu Aoki |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 大阪大学大学院工学研究科 Graduate School of Engineering, Osaka University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 松之内 恵子 / Keiko Matsunouchi |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 大阪大学大学院工学研究科 Graduate School of Engineering, Osaka University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 木村 千春 / Chiharu Kimura |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 大阪大学大学院工学研究科 Graduate School of Engineering, Osaka University |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 奥村 幸彦 / Yukihiko Okumura |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 舞鶴高専専攻科 Maizuru National College of Technology |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 杉野 隆 / Takashi Sugino |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 大阪大学大学院工学研究科 Graduate School of Engineering, Osaka University |
| 発表年月日 | 2008-06-13 |
| 資料番号 | ED2008-25 |
| 巻番号（vol） | vol.108 |
| 号番号（no） | 87 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
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