講演名 2008-03-06
有機FETの動作特性に及ぼす電極/有機界面の影響(特別ワークショップ:電子デバイスとしてみた有機トランジスタ・太陽電池の現状と展望)
大場 朋央, 木村 康男, 庭野 道夫,
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抄録(和) 有機電界効果トランジスタ(OFET)について広く研究されているが、詳細な動作機構について明確に解明できていない。特に、その特性に及ぼす金属電極/有機界面における電荷注入特性の影響についてはほとんど解明されていない。そこで、本研究ではルブレンの単結晶を用いてOFETの動作特性に及ぼすソース電極/有機膜界面の影響を調べた。その結果、輸送特性から見積もられる見かけの移動度は、単結晶の厚さや電極材料、チャネル長に依存しており、OFETは、チャネルにおける電荷量によってのみ特性が制御されていないことがわかった。また、この場合、飽和ドレイン電流の温度依存性は、電極/有機界面におけるホールの熱電界放出特性によって説明することができ、これは、OFETの特性は、チャネルにおける電荷量のみでなく、電極/有機界面からの電荷注入特性も大きな影響を与えていることを示している。
抄録(英) The detailed operation mechanism of organic field effect transistors (OFETs) has not been clarified yet though they have been widely studied. Especially, the influence of the carrier injection characteristic at the electrode/organic film interface has not been made clear. Here, we have investigated the influence of the electrode/organic film interface on characteristics of OFETs using a rubrene single crystal. The mobility estimated from the transfer characteristic depended on the thickness of single crystal, a material of the electrode, and the channel length, indicating that OFET is controlled by not only the quantity of carriers at the channel but also another phenomenon. In this case, the temperature dependence of the saturation drain current was in good agreement with the thermal field emission theory. These results suggest that the characteristics of OFET depend on not only the quantity of carriers at the channel but also the carrier injection characteristic.
キーワード(和) ルブレン / 有機電界効果トランジスタ / 単結晶
キーワード(英) rubrene / organic field effect transistor / single crystal
資料番号 ED2007-256
発行日

研究会情報
研究会 ED
開催期間 2008/2/28(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Electron Devices (ED)
本文の言語 JPN
タイトル(和) 有機FETの動作特性に及ぼす電極/有機界面の影響(特別ワークショップ:電子デバイスとしてみた有機トランジスタ・太陽電池の現状と展望)
サブタイトル(和)
タイトル(英) Influence of an interface of electrode/organics on organic FET characteristics
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) ルブレン / rubrene
キーワード(2)(和/英) 有機電界効果トランジスタ / organic field effect transistor
キーワード(3)(和/英) 単結晶 / single crystal
第 1 著者 氏名(和/英) 大場 朋央 / Tomohisa OBA
第 1 著者 所属(和/英) 東北大学電気通信研究所ナノスピン実験施設
Tohoku university Research Institute of Electrical Communication (RIEC)
第 2 著者 氏名(和/英) 木村 康男 / Yasuo KIMURA
第 2 著者 所属(和/英) 東北大学電気通信研究所ナノスピン実験施設
Tohoku university Research Institute of Electrical Communication (RIEC)
第 3 著者 氏名(和/英) 庭野 道夫 / Michio NIWANO
第 3 著者 所属(和/英) 東北大学電気通信研究所ナノスピン実験施設
Tohoku university Research Institute of Electrical Communication (RIEC)
発表年月日 2008-03-06
資料番号 ED2007-256
巻番号(vol) vol.107
号番号(no) 512
ページ範囲 pp.-
ページ数 5
発行日