| 講演名 | 2008-06-26 MTCMOSパワーゲーティング回路の性能モデル化の一検討(低消費電力設計,信号処理,LSI,及び一般) 彦坂 勇介, 立川 雄一郎, 宮島 淳企, 福井 正博, |
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| 抄録(和) | 90nm世代以前のプロセスでは,消費電力の大部分は負荷容量の充放電により消費される動的消費電力であったが,プロセス技術の発達に伴い65nm,45nmの世代では,トランジスタのリーク電流によって消費される電力である静的消費電力が増加する傾向にある.具体的には,65nm以降のプロセスになるとリーク電流が50%から70%に達すると予想されている.この為,リーク電流を削減することのできる低消費電力化技術のMTCMOS設計などが重要となる.本稿では,MTCMOSの性能モデル化方法について示す. |
| 抄録(英) | In the processes before the 90nm generation, most of the power is consumed by the dynamic power which is consumed by the charge and discharge of the load capacitance. Accompanying with the progress of process technologies, the static power which is consumed by the leak current of transistors tends to increase. Specifically, it is expected that the leak current reaches from 50% to 70% when the process technology is smaller than 65nm. Therefore, the MTCMOS is one of important techniques to reduce the leak current. We propose a performance modeling of MTCMOS in this paper. |
| キーワード(和) | MTCMOS / リークモデル / ラッシュカレント / ウェイクアップタイム |
| キーワード(英) | MTCMOS / leak model / rush current / wake up time |
| 資料番号 | CAS2008-13,VLD2008-26,SIP2008-47 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | VLD |
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| 開催期間 | 2008/6/19(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | VLSI Design Technologies (VLD) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | MTCMOSパワーゲーティング回路の性能モデル化の一検討(低消費電力設計,信号処理,LSI,及び一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | A study for performance modeling of circuits using MTCMOS power gating |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | MTCMOS / MTCMOS |
| キーワード(2)（和/英） | リークモデル / leak model |
| キーワード(3)（和/英） | ラッシュカレント / rush current |
| キーワード(4)（和/英） | ウェイクアップタイム / wake up time |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 彦坂 勇介 / Yusuke HIKOSAKA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 立命館大学大学院理工学研究科 Graduate School Science and Engineering, Ritsumeikan University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 立川 雄一郎 / Yuichiro TACHIKAWA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 立命館大学大学院理工学研究科 Graduate School Science and Engineering, Ritsumeikan University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 宮島 淳企 / Junki MIYAJIMA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 立命館大学理工学部電子情報デザイン学科 Dept. of VLSI system design, Ritsumeikan University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 福井 正博 / Masahiro FUKUI |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 立命館大学理工学部電子情報デザイン学科 Dept. of VLSI system design, Ritsumeikan University |
| 発表年月日 | 2008-06-26 |
| 資料番号 | CAS2008-13,VLD2008-26,SIP2008-47 |
| 巻番号（vol） | vol.108 |
| 号番号（no） | 106 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |