| 講演名 | 2008/2/1 多層銅配線とハイブリッドLow-k構造(porous-PAr/porous-SiOC(k=2.3/2.3)を用いた密着性の研究と密着性エネルギーの改善(配線・実装技術と関連材料技術) 宇佐美 達矢, 田上 政由, 渡邊 桂, 亀嶋 隆季, 増田 秀顕, 島田 美代子, 側瀬 聡文, 香川 恵永, 中村 直文, 宮島 秀史, 成瀬 宏, 榎本 容幸, 北野 友久, 関根 誠, |
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| 抄録(和) | 45-nm nodeデバイスのCu/low-kパターンの実際の構造を用いた密着性を4 point-bending (4PB)とmodified edge lift-off tests (m-ELT)で比較した。ポーラスポリアリレン(p-PAr)/ポーラスSiOC (p-SiOC) (k=2.3/2.3)の積層ハイブリッドLow-kのデユアルダマシン配線構造を評価した。m-ELTと4PBで実際のパターン構造では違った箇所で剥離した。加えて、それぞれの剥離界面の密着エネルギーは異なる処理プロセスで1.6倍以上に改善した。 |
| 抄録(英) | Adhesion tests for a real Cu/low-k patterned structure were studied for 45-nm node devices. Results from 4 point-bending (4PB) and modified edge lift-off tests (m-ELT) were compared. Cu Dual Damascene interconnects structures with stacked hybrid low-k which is porous-Poly-Arylene(p-PAr)/porous-SiOC(p-SiOC)(k=2.3/2.3) were evaluated. Peel-off occurred in different locations in the real patterned structures subjected to the m-ELT test and in the structures subjected to the 4PB test. In addition, the adhesion energy (Gc: interface fracture energy) of the peeled-off interfaces was improved (≧1.6x) by different treatment processes. |
| キーワード(和) | 4 point-bending / modified edge Lift-off test / ポーラスポリアリレン / ポーラスSiOC / 密着エネルギー |
| キーワード(英) | 4 point-bending / modified edge Lift-off test / porous Poly Arylene / porous SiOC / adhesion energy |
| 資料番号 | SDM2007-270 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2008/2/1(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 多層銅配線とハイブリッドLow-k構造(porous-PAr/porous-SiOC(k=2.3/2.3)を用いた密着性の研究と密着性エネルギーの改善(配線・実装技術と関連材料技術) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | A Study of Adhesion and Improvement of Adhesion Energy Using Hybrid Low-k (porous-PAr/ porous-SiOC(k=2.3/2.3)) Structures with Multi-layered Cu Interconnects for 45-nm Node Devices |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 4 point-bending / 4 point-bending |
| キーワード(2)（和/英） | modified edge Lift-off test / modified edge Lift-off test |
| キーワード(3)（和/英） | ポーラスポリアリレン / porous Poly Arylene |
| キーワード(4)（和/英） | ポーラスSiOC / porous SiOC |
| キーワード(5)（和/英） | 密着エネルギー / adhesion energy |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 宇佐美 達矢 / Tatsuya USAMI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | NECエレクトロニクス株式会社 NEC Electronics Corporation |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 田上 政由 / Masayoshi TAGAMI |
| 第 2 著者 所属（和/英） | NECエレクトロニクス株式会社 NEC Electronics Corporation |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 渡邊 桂 / Kei WATANABE |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 東芝株式会社 Toshiba Corporation |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 亀嶋 隆季 / Takatoshi KAMESHIMA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | ソニー株式会社 Sony Corporation |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 増田 秀顕 / Hideaki MASUDA |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 東芝株式会社 Toshiba Corporation |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 島田 美代子 / Miyoko SHIMADA |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 東芝株式会社 Toshiba Corporation |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 側瀬 聡文 / Akifumi GAWASE |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 東芝株式会社 Toshiba Corporation |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 香川 恵永 / Yoshihisa KAGAWA |
| 第 8 著者 所属（和/英） | ソニー株式会社 Sony Corporation |
| 第 9 著者 氏名（和/英） | 中村 直文 / Naofumi NAKAMURA |
| 第 9 著者 所属（和/英） | 東芝株式会社 Toshiba Corporation |
| 第 10 著者 氏名（和/英） | 宮島 秀史 / Hideshi MIYAJIMA |
| 第 10 著者 所属（和/英） | 東芝株式会社 Toshiba Corporation |
| 第 11 著者 氏名（和/英） | 成瀬 宏 / Hiroshi NARUSE |
| 第 11 著者 所属（和/英） | 東芝株式会社 Toshiba Corporation |
| 第 12 著者 氏名（和/英） | 榎本 容幸 / Yoshiyuki ENOMOTO |
| 第 12 著者 所属（和/英） | ソニー株式会社 Sony Corporation |
| 第 13 著者 氏名（和/英） | 北野 友久 / Tomohisa KITANO |
| 第 13 著者 所属（和/英） | NECエレクトロニクス株式会社 NEC Electronics Corporation |
| 第 14 著者 氏名（和/英） | 関根 誠 / Makoto SEKINE |
| 第 14 著者 所属（和/英） | NECエレクトロニクス株式会社 NEC Electronics Corporation |
| 発表年月日 | 2008/2/1 |
| 資料番号 | SDM2007-270 |
| 巻番号（vol） | vol.107 |
| 号番号（no） | 481 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
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