| 講演名 | 2008-04-18 低消費電力・低アスペクト比半導体レーザ(光部品の実装・信頼性,一般) 上田 誠, 住友 弘幸, 後藤 修, 山本 達, 小栗 裕之, 梶山 訓, 中尾 健誠, 天野 秀則, 里吉 洋忠, 喜夛 敏弘, 和泉 茂一, |
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| 抄録(和) | 我々はリッジ型構造を用いて,低消費電力・低アスペクト比を特徴とするレーザを開発・製品化しており,50mW(CW)動作時の駆動電流は25℃で67mA,70℃で79mA,特性温度Toは179K(25-50℃)および145K(50-70℃)を実現している.消費電力は当社独自構造で低消費電力の特長をもつS^3(Self-aligned Stepped Substrate)型と同等程度に抑えられており,50mW(CW)動作時のFFP半値角は垂直方向が16.4deg,水平方向が12.8degの低アスペクト比(=1.28)を実現している.信頼性試験においては,1,200時間の50mW(CW)光出力で安定動作しており,MTTFは10,000時間以上と優れた特性を確認している.本レーザは特性,量産性の両面で優れており,光ディスク関連製品への適用が期待される. |
| 抄録(英) | We have developed low-power consumption and low-aspect ratio laser diodes (LDs) by using ridge waveguide structure. The actual operation current as low as 67mA at 25℃ and 79mA at 70℃ are obtained in output power of 50mW(CW). The characteristics temperatures (To) for the low temperature range of 25-50℃ and the high temperature range of 50-70℃ are estimated 179K and 145K, respectively. The power consumption in the novel LDs is almost the same as that in conventional S^3 (Self-aligned Stepped Substrate) LDs. The full-width at half-maximum of the beam divergence angles perpendicular and parallel to the junction plane at 50mW (CW) are 16.4deg and 12.8deg, respectively. The mean time to failure (MTTF) is estimated as high as 10,000 hours by lifetime test of 1,200 hours under CW operation of 50mW. These excellent results confer the promising way to apply to the application of optical disc with low cost and high throughput production. |
| キーワード(和) | 半導体レーザ / 低消費電力 / 低アスペクト比 / AlGaInP |
| キーワード(英) | Laser Diode / Low Power consumption / Low Aspect ratio / AlGaInP |
| 資料番号 | R2008-4,CPM2008-4,OPE2008-4 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 2008/4/11(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 低消費電力・低アスペクト比半導体レーザ(光部品の実装・信頼性,一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Low-Power Consumption and Low-Aspect Ratio Laser Diodes |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 半導体レーザ / Laser Diode |
| キーワード(2)（和/英） | 低消費電力 / Low Power consumption |
| キーワード(3)（和/英） | 低アスペクト比 / Low Aspect ratio |
| キーワード(4)（和/英） | AlGaInP / AlGaInP |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 上田 誠 / Makoto UEDA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | ユーディナデバイス株式会社 |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 住友 弘幸 / Hiroyuki SUMITOMO |
| 第 2 著者 所属（和/英） | ユーディナデバイス株式会社 |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 後藤 修 / Shu GOTO |
| 第 3 著者 所属（和/英） | ユーディナデバイス株式会社 |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 山本 達 / Toru YAMAMOTO |
| 第 4 著者 所属（和/英） | ユーディナデバイス株式会社 |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 小栗 裕之 / Hiroyuki OGURI |
| 第 5 著者 所属（和/英） | ユーディナデバイス株式会社 |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 梶山 訓 / Satoshi KAJIYAMA |
| 第 6 著者 所属（和/英） | ユーディナデバイス株式会社 |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 中尾 健誠 / Kensei NAKAO |
| 第 7 著者 所属（和/英） | ユーディナデバイス株式会社 |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 天野 秀則 / Hidenori AMANO |
| 第 8 著者 所属（和/英） | ユーディナデバイス株式会社 |
| 第 9 著者 氏名（和/英） | 里吉 洋忠 / Hirotada SATOYOSHI |
| 第 9 著者 所属（和/英） | ユーディナデバイス株式会社 |
| 第 10 著者 氏名（和/英） | 喜夛 敏弘 / Toshihiro KITA |
| 第 10 著者 所属（和/英） | ユーディナデバイス株式会社 |
| 第 11 著者 氏名（和/英） | 和泉 茂一 / Shigekazu IZUMI |
| 第 11 著者 所属（和/英） | ユーディナデバイス株式会社 |
| 発表年月日 | 2008-04-18 |
| 資料番号 | R2008-4,CPM2008-4,OPE2008-4 |
| 巻番号（vol） | vol.108 |
| 号番号（no） | 8 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
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