| 講演名 | 2008-05-16 MOVPE法によるSi基板上のCdTe層へのヨウ素ドーピング特性(I)(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料)) 渡邊 彰伸, 甲斐 康寛, 山田 航, 市橋 果, 米山 知宏, 加藤 大祐, 松本 和也, 安形 保則, ニラウラ マダン, 安田 和人, |
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| 抄録(和) | 有機金属気相成長法による,Si基板上のCdTe層のヨウ素ドーピング特性について検討を行った.成長原料として,DMCdとDETeを用い,ドーパントとしてEIを用いた.成長温度を325℃とし,VI/II比を0.25とした場合,EI供給量を10^<-10>から10^<-8>mol/minの範囲で制御することによって,電子密度を10^<13>から10^<16>cm^<-3>に制御することが可能であることが分かった. |
| 抄録(英) | Iodine doping of CdTe layers grown on Si substrates by metal-organic vapor phase epitaxy has been studied using ethyliodine (EI) as a dopant. CdTe layers were grown at the growth temperature of 325℃ and the DETe/DMCd supply ratio of 0.25. n-type layers with electron concentrations from 10^<13> to 10^<16> cm^<-3> were obtained by controlling the supply rate of EI. The grown layers were also examined by photoluminescence (PL) at 4.2K. PL spectra of doped layers showed consistent variation with incorporation of iodine. |
| キーワード(和) | MOVPE / n-CdTe / EIドーピング / Si基板上のCdTe |
| キーワード(英) | MOVPE / n-CdTe / EI doping / CdTe on Si substrate |
| 資料番号 | ED2008-17,CPM2008-25,SDM2008-37 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2008/5/8(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | MOVPE法によるSi基板上のCdTe層へのヨウ素ドーピング特性(I)(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料)) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Iodine doping in CdTe layer on Si substrate grown by MOVPE (I) |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | MOVPE / MOVPE |
| キーワード(2)（和/英） | n-CdTe / n-CdTe |
| キーワード(3)（和/英） | EIドーピング / EI doping |
| キーワード(4)（和/英） | Si基板上のCdTe / CdTe on Si substrate |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 渡邊 彰伸 / Akinobu Watanabe |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学大学院機能工学専攻 Graduate school of Engineering, Nagoya Institute of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 甲斐 康寛 / Yasuhiro Kai |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学大学院機能工学専攻 Graduate school of Engineering, Nagoya Institute of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 山田 航 / Wataru Yamada |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学大学院機能工学専攻 Graduate school of Engineering, Nagoya Institute of Technology |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 市橋 果 / Hatasu Ichihashi |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学大学院機能工学専攻 Graduate school of Engineering, Nagoya Institute of Technology |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 米山 知宏 / Tomohiro Yoneyama |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学大学院機能工学専攻 Graduate school of Engineering, Nagoya Institute of Technology |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 加藤 大祐 / Daisuke Katoh |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学大学院機能工学専攻 Graduate school of Engineering, Nagoya Institute of Technology |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 松本 和也 / Kazuya Matsumoto |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学大学院機能工学専攻 Graduate school of Engineering, Nagoya Institute of Technology |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 安形 保則 / Yasunori Agata |
| 第 8 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学大学院機能工学専攻 Graduate school of Engineering, Nagoya Institute of Technology |
| 第 9 著者 氏名（和/英） | ニラウラ マダン / Madan Niraula |
| 第 9 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学大学院機能工学専攻 Graduate school of Engineering, Nagoya Institute of Technology |
| 第 10 著者 氏名（和/英） | 安田 和人 / Kazuhito Yasuda |
| 第 10 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学大学院機能工学専攻 Graduate school of Engineering, Nagoya Institute of Technology |
| 発表年月日 | 2008-05-16 |
| 資料番号 | ED2008-17,CPM2008-25,SDM2008-37 |
| 巻番号（vol） | vol.108 |
| 号番号（no） | 36 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
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