講演名 | 2008-05-16 歪み超格子スピン偏極電子源構造におけるバッファ層歪み緩和過程と偏極度の関係(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料)) 前多 悠也, 金 秀光, 谷奥 雅俊, 渕 真悟, 宇治原 徹, 竹田 美和, 山本 尚人, 真野 篤志, 中川 靖英, 山本 将博, 奥見 正治, 中西 彊, 坂 貴, 堀中 博道, 加藤 俊宏, 安江 常夫, 越川 孝範, |
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抄録(和) | 我々はこれまでにGaAs/GaAsP歪み超格子半導体フォトカソードにより、高輝度・高偏極度スピン偏極電子源の実現に成功している。その中で、基板をGaAsからGaPに変更することで、偏極度が低下し、さらにGaP基板上にGaAs中間層を導入することで、偏極度が改善されることを見いだした。本研究では、このメカニズムを明らかにするため、それぞれの下地の上に成長するGaAsPバッファ層の歪み緩和過程に注目した。その結果、バッファ層に面内引張歪みが生じるときは主にクラックにより、面内庄縮のときは主に転位導入により歪み緩和し、電子のスピン偏極度は、転位によって低下するが、クラックの影響はほとんど受けないことを見いだした。 |
抄録(英) | We successfully developed a super-high brightness and high-spin-polarization electron source based on GaAs/GaAsP strain superlattice. In the development, we found out that the polarization of superlattice grown on a GaP substrate was lower than that on a GaAs substrate, and inserting a GaAs interlayer on a GaP substrate improved the polarization. From a viewpoint of strain relaxation process in a GaAsP buffer layer, the mechanism of polarization degradation was investigated. The buffer layer with in-plain tensile strain is relaxed by inducing some cracks. On the other hand, the buffer layer with in-plain compressive strain is relaxed by inducing some dislocations. The dislocations disturb a spin of electron in the sample more effectively than the cracks do. |
キーワード(和) | 超格子 / 格子歪み / スピン偏極 / フォトカソード |
キーワード(英) | superlattice / lattice-mismatch / spin-polarization / photocathode |
資料番号 | ED2008-16,CPM2008-24,SDM2008-36 |
発行日 |
研究会情報 | |
研究会 | SDM |
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開催期間 | 2008/5/8(から1日開催) |
開催地(和) | |
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幹事補佐氏名(和) | |
幹事補佐氏名(英) |
講演論文情報詳細 | |
申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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本文の言語 | JPN |
タイトル(和) | 歪み超格子スピン偏極電子源構造におけるバッファ層歪み緩和過程と偏極度の関係(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料)) |
サブタイトル(和) | |
タイトル(英) | Effect of strain relaxation process on polarization in strained superlattice spin-polarized photocathode |
サブタイトル(和) | |
キーワード(1)(和/英) | 超格子 / superlattice |
キーワード(2)(和/英) | 格子歪み / lattice-mismatch |
キーワード(3)(和/英) | スピン偏極 / spin-polarization |
キーワード(4)(和/英) | フォトカソード / photocathode |
第 1 著者 氏名(和/英) | 前多 悠也 / Yuya Maeda |
第 1 著者 所属(和/英) | 名古屋大学工学研究科 Graduate School of Engineering, Nagoya University |
第 2 著者 氏名(和/英) | 金 秀光 / Xiuguang Jin |
第 2 著者 所属(和/英) | 名古屋大学工学研究科 Graduate School of Engineering, Nagoya University |
第 3 著者 氏名(和/英) | 谷奥 雅俊 / Masatoshi Tanioku |
第 3 著者 所属(和/英) | 名古屋大学工学研究科 Graduate School of Engineering, Nagoya University |
第 4 著者 氏名(和/英) | 渕 真悟 / Shingo Fuchi |
第 4 著者 所属(和/英) | 名古屋大学工学研究科 Graduate School of Engineering, Nagoya University |
第 5 著者 氏名(和/英) | 宇治原 徹 / Toru Ujihara |
第 5 著者 所属(和/英) | 名古屋大学工学研究科 Graduate School of Engineering, Nagoya University |
第 6 著者 氏名(和/英) | 竹田 美和 / Yoshikazu Takeda |
第 6 著者 所属(和/英) | 名古屋大学工学研究科 Graduate School of Engineering, Nagoya University |
第 7 著者 氏名(和/英) | 山本 尚人 / Naoto Yamamoto |
第 7 著者 所属(和/英) | 名古屋大学理学研究科 Graduate School of Science, Nagoya University |
第 8 著者 氏名(和/英) | 真野 篤志 / Atsushi Mano |
第 8 著者 所属(和/英) | 名古屋大学理学研究科 Graduate School of Science, Nagoya University |
第 9 著者 氏名(和/英) | 中川 靖英 / Yasuhide Nakagawa |
第 9 著者 所属(和/英) | 名古屋大学理学研究科 Graduate School of Science, Nagoya University |
第 10 著者 氏名(和/英) | 山本 将博 / Masahiro Yamamoto |
第 10 著者 所属(和/英) | 名古屋大学理学研究科 Graduate School of Science, Nagoya University |
第 11 著者 氏名(和/英) | 奥見 正治 / Shoji Okumi |
第 11 著者 所属(和/英) | 名古屋大学理学研究科 Graduate School of Science, Nagoya University |
第 12 著者 氏名(和/英) | 中西 彊 / Tsutomu Nakanishi |
第 12 著者 所属(和/英) | 名古屋大学理学研究科 Graduate School of Science, Nagoya University |
第 13 著者 氏名(和/英) | 坂 貴 / Takashi Saka |
第 13 著者 所属(和/英) | 大同工業大学工学部 School of Engineering, Daido Institute of Technology |
第 14 著者 氏名(和/英) | 堀中 博道 / Hiromichi Horinaka |
第 14 著者 所属(和/英) | 大阪府立大学工学研究科 Graduate School of Engineering, Osaka Prefecture University |
第 15 著者 氏名(和/英) | 加藤 俊宏 / Toshihiro Kato |
第 15 著者 所属(和/英) | 大同特殊鋼株式会社技術開発研究所 Daido Steel Co., Ltd. |
第 16 著者 氏名(和/英) | 安江 常夫 / Tsuneo Yasue |
第 16 著者 所属(和/英) | 大阪電気通信大学エレクトロニクス基礎研究所 Fundamental Electronics Research Institute, Academic Frontier Promotion Center, Osaka Electro-Communication University |
第 17 著者 氏名(和/英) | 越川 孝範 / Takanori Koshikawa |
第 17 著者 所属(和/英) | 大阪電気通信大学エレクトロニクス基礎研究所 Fundamental Electronics Research Institute, Academic Frontier Promotion Center, Osaka Electro-Communication University |
発表年月日 | 2008-05-16 |
資料番号 | ED2008-16,CPM2008-24,SDM2008-36 |
巻番号(vol) | vol.108 |
号番号(no) | 36 |
ページ範囲 | pp.- |
ページ数 | 6 |
発行日 |