| 講演名 | 2008-05-16 温度差法を用いたGaAs (001)マイクロチャンネルエピタキシーによる横方向成長(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料)) 手嶋 康将, 鈴木 堅志郎, 成塚 重弥, 丸山 隆浩, |
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| 抄録(和) | マイクロチャネルエピタキシー(MCE)は、格子不整合の大きなヘテロエピタキシーにおける転位低減化に適しており、例えばSi基板上のGaAs無転位領域の成長に成功している。しかし、無転位領域の幅を大きく広げたい場合には、従来型の液相成長(LPE)では限界がある。そこで、我々は、永続的成長を可能にする温度差法に注目した。水素を基板の裏側に直接当て冷却することで温度差を形成し、永続的成長に成功した。今回は、温度差法成長をMCEに適用し、横方向成長条件を検討したので報告する。 |
| 抄録(英) | Microchannel epitaxy (MCE) is a suitable technique to reduce dislocations in the heteroepitaxy with a large lattice mismatch. In MCE, for example, the growth of the dislocation-free areas of GaAs on Si substrates is obtainted. However, in an ordinary LPE technique, there is a limit in expanding the dislocation-free areas. Therefore, we used the temperature difference method, by which the continuous growth is possible. To make a temperature difference, H_2 is directly blown from the backside of the substrate. In this study, the growth condition for the lateral growth using temperature difference method in MCE is investigated. |
| キーワード(和) | マイクロチャンネルエピタキシー / GaAs / 転位フリー / 液相成長 / ヘテロ成長 |
| キーワード(英) | Microchannel epitaxy / GaAs / Dislocation-free / Liquid phase epitaxy / Heteroepitaxy |
| 資料番号 | ED2008-15,CPM2008-23,SDM2008-35 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2008/5/8(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 温度差法を用いたGaAs (001)マイクロチャンネルエピタキシーによる横方向成長(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料)) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Lateral growth of GaAs (001) microchannel epitaxy grown by temperature difference method |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | マイクロチャンネルエピタキシー / Microchannel epitaxy |
| キーワード(2)（和/英） | GaAs / GaAs |
| キーワード(3)（和/英） | 転位フリー / Dislocation-free |
| キーワード(4)（和/英） | 液相成長 / Liquid phase epitaxy |
| キーワード(5)（和/英） | ヘテロ成長 / Heteroepitaxy |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 手嶋 康将 / Yasumasa Tejima |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 名城大学理工学部 Science & Engineering, Meijo University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 鈴木 堅志郎 / Kenshiro Suzuki |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 名城大学理工学部 Science & Engineering, Meijo University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 成塚 重弥 / Shigeya Naritsuka |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 名城大学理工学部 Science & Engineering, Meijo University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 丸山 隆浩 / Takahiro Maruyama |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 名城大学理工学部 Science & Engineering, Meijo University |
| 発表年月日 | 2008-05-16 |
| 資料番号 | ED2008-15,CPM2008-23,SDM2008-35 |
| 巻番号（vol） | vol.108 |
| 号番号（no） | 36 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |