| 講演名 | 2008-05-16 Si基板上減圧MOCVD成長Al_xGa_<1-x>Nの諸特性(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料)) 広森 公一, 石川 博康, 十倉 史行, 嶋中 啓太, 森 直人, 森本 智彦, |
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| 抄録(和) | Si基板上減圧MOCVD成長Al_xGa_<1-x>Nについて、諸特性のリアクタ圧力依存性を調べた。成長圧力が高くなるに従いAl固相比は小さく膜厚は薄くなり、Al気相比が大きい程顕著であった。X線回折ωスキャンによるマクロレベルでの結晶評価では結晶品質の成長圧力依存性は見られなかった。一方、二次イオン質量分析による不純物分析より、成長圧力を高くするに従い全Al固相比でC濃度が減少すること、また成長圧力を高くなるとAl固相比に対して指数関数的にC濃度が増加する傾向になることがわかった。 |
| 抄録(英) | Al_xGa_<1-x>N films were grown on Si substrates as a function of reactor pressure using a low-pressure MOCVD method. The Al solid composition and thickness decrease with the increase of the reactor pressure due to the parasitic reaction between metalorganics and ammonia in the vapor phase, depending on the TMA vapor composition. While full-width at half-maximum values of X-ray ω-scan don't show significant dependence on the reactor pressure, the carbon (C) concentration in Al_xGa_<1-x>N decreases over the entire range of the solid composition with the increase of the reactor pressure. The C concentration increases exponentially to the Al solid composition at the higher reactor pressure. |
| キーワード(和) | Si基板 / MOCVD / AlGaN / 減圧 / SIMS |
| キーワード(英) | Si substrates / MOCVD / AlGaN / Low-pressure / SIMS |
| 資料番号 | ED2008-14,CPM2008-22,SDM2008-34 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2008/5/8(から1日開催) |
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| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | Si基板上減圧MOCVD成長Al_xGa_<1-x>Nの諸特性(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料)) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Characterization of Low-Pressure MOCVD-grown Al_xGa_<1-x>N on Si substrates |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | Si基板 / Si substrates |
| キーワード(2)（和/英） | MOCVD / MOCVD |
| キーワード(3)（和/英） | AlGaN / AlGaN |
| キーワード(4)（和/英） | 減圧 / Low-pressure |
| キーワード(5)（和/英） | SIMS / SIMS |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 広森 公一 / Kouichi Hiromori |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学工学研究科機能工学専攻 Dept. of Engineering Physics, Electronics & Mechanics, Graduate School of Engineering, Nagoya Institute of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 石川 博康 / Hiroyasu Ishikawa |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学工学研究科機能工学専攻:名古屋工業大学工学研究科都市循環システム工学専攻 Dept. of Engineering Physics, Electronics & Mechanics, Graduate School of Engineering, Nagoya Institute of Technology:Dept. of Environmental Technology & Urban Planning, Graduate School of Engineering, Nagoya Institute of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 十倉 史行 / Fumiyuki Tokura |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学工学研究科機能工学専攻 Dept. of Engineering Physics, Electronics & Mechanics, Graduate School of Engineering, Nagoya Institute of Technology |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 嶋中 啓太 / Keita Shimanaka |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学工学研究科都市循環システム工学専攻 Dept. of Environmental Technology & Urban Planning, Graduate School of Engineering, Nagoya Institute of Technology |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 森 直人 / Naoto Mori |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学工学研究科機能工学専攻 Dept. of Engineering Physics, Electronics & Mechanics, Graduate School of Engineering, Nagoya Institute of Technology |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 森本 智彦 / Tomohiko Morimoto |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学工学研究科機能工学専攻 Dept. of Engineering Physics, Electronics & Mechanics, Graduate School of Engineering, Nagoya Institute of Technology |
| 発表年月日 | 2008-05-16 |
| 資料番号 | ED2008-14,CPM2008-22,SDM2008-34 |
| 巻番号（vol） | vol.108 |
| 号番号（no） | 36 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |