| 講演名 | 2008-05-16 p型GaNゲート ノーマリーオフ型AlGaN/GaN Junction HFETのオン抵抗と耐圧(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料)) 根賀 亮平, 水野 克俊, 岩谷 素顕, 上山 智, 天野 浩, 赤崎 勇, |
|---|---|
| PDFダウンロードページ |  PDFダウンロードページへ |
| 抄録(和) | 低損失スイッチングデバイスの実現には、ノーマリーオフ型デバイスのオン抵抗低減が必須である。また、実用化のためには耐圧の向上が必要である。p-GaNゲートを有するIII族窒化物半導体ノーマリーオフ型FETの構造変化によるオン抵抗の低減と耐圧のソース・ドレイン間距離依存性を確認した。 |
| 抄録(英) | This paper reports normally-off mode nitride-based field-effect transistor using p-type gate contact. In order to realize application to power switching devices, it is necessary to reduce on-resistance as well as to keep the breakdown voltage high enough. By changing the device parameters such as source-drain distance, gate length, etc., correlation between on-resistance and breakdown voltage was deduced experimentally. |
| キーワード(和) | AlGaN / GaN / Junction HFET / p-GaNゲート / ノーマリーオフ / 低オン抵抗 / 耐圧 |
| キーワード(英) | AlGaN / GaN / Junction HFET / p-type GaN gate / normally-off / low on-resistance / Breakdown Voltage |
| 資料番号 | ED2008-13,CPM2008-21,SDM2008-33 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
|---|---|
| 開催期間 | 2008/5/8(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
|---|---|
| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | p型GaNゲート ノーマリーオフ型AlGaN/GaN Junction HFETのオン抵抗と耐圧(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料)) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | On-resistance and Breakdown Voltage of Enhancement-Mode AlGaN/GaN Junction HFET using p-GaN Gate Contact |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | AlGaN / AlGaN |
| キーワード(2)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(3)（和/英） | Junction HFET / Junction HFET |
| キーワード(4)（和/英） | p-GaNゲート / p-type GaN gate |
| キーワード(5)（和/英） | ノーマリーオフ / normally-off |
| キーワード(6)（和/英） | 低オン抵抗 / low on-resistance |
| キーワード(7)（和/英） | 耐圧 / Breakdown Voltage |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 根賀 亮平 / Ryohei Nega |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 名城大学大学院理工学研究科材料機能工学専攻 Faculty of Science and Technology, Meijo University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 水野 克俊 / Katsutoshi Mizuno |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 名城大学大学院理工学研究科材料機能工学専攻 Faculty of Science and Technology, Meijo University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 岩谷 素顕 / Motoaki Iwaya |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 名城大学大学院理工学研究科材料機能工学専攻 Faculty of Science and Technology, Meijo University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 上山 智 / Satoshi Kamiyama |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 名城大学大学院理工学研究科材料機能工学専攻 Faculty of Science and Technology, Meijo University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 天野 浩 / Hiroshi Amano |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 名城大学大学院理工学研究科材料機能工学専攻 Faculty of Science and Technology, Meijo University |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 赤崎 勇 / Isamu Akasaki |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 名城大学大学院理工学研究科材料機能工学専攻 Faculty of Science and Technology, Meijo University |
| 発表年月日 | 2008-05-16 |
| 資料番号 | ED2008-13,CPM2008-21,SDM2008-33 |
| 巻番号（vol） | vol.108 |
| 号番号（no） | 36 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |