| 講演名 | 2008-05-16 溝加工したAlN上AlGaNの転位解析(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料)) 森 俊晶, 浅井 俊晶, 永松 謙太郎, 岩谷 素顕, 上山 智, 天野 浩, 赤崎 勇, |
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| 抄録(和) | 波長360nm以下の紫外LED、LDの高効率化には、高品質AlGaN下地層が必須である。本報告では、高温MOVPE法によりSapphire(0001)面に成長した厚さ4～5μmのAlNに、様々なAlNモル分率のAl_xGa_<1-x>Nを成長させたサンプルと、AlNに方形溝を作製して様々なAINモル分率のAl_xGa_<1-x>Nを成長させたサンプルについて、TEMを用いてAl_xGa_<1-x>N中の転位密度のAlNモル分率依存性を評価した。その結果、AlN方形溝上のAl_xGa_<1-x>Nでは、平面AlN上のAl_xGa_<1-x>Nよりも貫通転位密度が低減している事を確認した。また、転位密度のAl組成依存性についても評価した。 |
| 抄録(英) | To realize high efficiency UV LED and LD with emission wavelength shorter than 360nm, low dislocation density AlGaN underlying layer is essential. In this study, compositional dependence of the crystalline quality of AlGaN on AlN template with or without groove structure was investigated using transmission electron micrography. |
| キーワード(和) | AlGaN / AlN / サファイア / 透過型電子顕微鏡 / 転位 / 有機金属化合物気相成長 |
| キーワード(英) | AlGaN / AlN / Sapphire / TEM / Dislocation / MOVPE |
| 資料番号 | ED2008-12,CPM2008-20,SDM2008-32 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2008/5/8(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 溝加工したAlN上AlGaNの転位解析(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料)) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Dislocation in AlGaN grown on grooved AlN |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | AlGaN / AlGaN |
| キーワード(2)（和/英） | AlN / AlN |
| キーワード(3)（和/英） | サファイア / Sapphire |
| キーワード(4)（和/英） | 透過型電子顕微鏡 / TEM |
| キーワード(5)（和/英） | 転位 / Dislocation |
| キーワード(6)（和/英） | 有機金属化合物気相成長 / MOVPE |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 森 俊晶 / Toshiaki MORI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 名城大学大学院理工学研究科 Department of Materials Science and Engineering, Meijo University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 浅井 俊晶 / Toshiaki ASAI |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 名城大学大学院理工学研究科 Department of Materials Science and Engineering, Meijo University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 永松 謙太郎 / Kentaro NAGAMATSU |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 名城大学大学院理工学研究科 Department of Materials Science and Engineering, Meijo University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 岩谷 素顕 / Motoaki IWAYA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 名城大学大学院理工学研究科 Department of Materials Science and Engineering, Meijo University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 上山 智 / Satoshi KAMIYAMA |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 名城大学大学院理工学研究科 Department of Materials Science and Engineering, Meijo University |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 天野 浩 / Hiroshi AMANO |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 名城大学大学院理工学研究科 Department of Materials Science and Engineering, Meijo University |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 赤崎 勇 / Isamu AKASAKI |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 名城大学大学院理工学研究科 Department of Materials Science and Engineering, Meijo University |
| 発表年月日 | 2008-05-16 |
| 資料番号 | ED2008-12,CPM2008-20,SDM2008-32 |
| 巻番号（vol） | vol.108 |
| 号番号（no） | 36 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
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