| 講演名 | 2008-05-16 AlGaN/GaNヘテロ構造におけるAl/Ti/Al電極構造の検討(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料)) 廣木 正伸, 西村 一巳, 渡邉 則之, 小田 康裕, 小林 隆, |
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| 抄録(和) | AlGaN/GaNヘテロ構造におけるオーミック接合として,Al/Ti/Al/Ni/Au電極材料を試みた.1×10^<-5>Ωcm^2以下の低接触抵抗率のオーミック接合を得るのに,従来のTi/Al/Ni/Auでは850℃以上の高温熱処理が必要であったのに対し,今回のAl/Ti/Al/Ni/Auでは650℃から850℃の低温かつ幅広い熱処理温度で得られた |
| 抄録(英) | In this letter, we report annealing temperature dependence of Al/Ti/Tl/Ni/Au contact structure on AlGaN/GaN heterostructures. In this structure, low contact resistivity below 5 x 10^<-6> Ωcm^2 was achieved by in wide range of thermal annealing from 650℃ to 900℃, while such low contact was only obtained in the range from 800℃ to 900℃ in conventional ohmic contact structure of Ti/Al/Ni/Au. |
| キーワード(和) | GaN / AlGaN/GaNヘテロ構造 / オーミック接合 |
| キーワード(英) | GaN / AlGaN/GaN heterostructures / ohmic contact |
| 資料番号 | ED2008-11,CPM2008-19,SDM2008-31 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2008/5/8(から1日開催) |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | AlGaN/GaNヘテロ構造におけるAl/Ti/Al電極構造の検討(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料)) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Al/Ti/Al Ohmic Contact to AlGaN/GaN Heterostructure |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(2)（和/英） | AlGaN/GaNヘテロ構造 / AlGaN/GaN heterostructures |
| キーワード(3)（和/英） | オーミック接合 / ohmic contact |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 廣木 正伸 / Masanobu Hiroki |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所 NTT Photonics Laboratories, NTT Corporation |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 西村 一巳 / Kazumi Nishimura |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所 NTT Photonics Laboratories, NTT Corporation |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 渡邉 則之 / Noriyuki Watanabe |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所:(現)NTTアドバンステクノロジ株式会社 NTT Photonics Laboratories, NTT Corporation:(Present office)NTT Advanced Technology Corporation |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 小田 康裕 / Yasuhiro Oda |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所 NTT Photonics Laboratories, NTT Corporation |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 小林 隆 / Takashi Kobayashi |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所 NTT Photonics Laboratories, NTT Corporation |
| 発表年月日 | 2008-05-16 |
| 資料番号 | ED2008-11,CPM2008-19,SDM2008-31 |
| 巻番号（vol） | vol.108 |
| 号番号（no） | 36 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |