| 講演名 | 2008-05-15 光伝導度過渡応答特性を用いたGaPNの深い準位の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料)) 泉 佳太, 岡田 浩, 古川 雄三, 若原 昭浩, |
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| 抄録(和) | Si集積回路と発光素子を融合させた光電子融合集積回路(optoelectronic intergrated circuit : OEIC)を実現させるには、Siと格子整合する発光素子が必要となる。窒素を2%添加したGaPNはSiと格子整合する。発光材料中に欠陥が存在すると、発光特性を低下させてしまう。本研究では、GaPNにSiおよびSを添加した材料を光伝導度過渡応答特性を用いて測定を行い、深い準位についての評価を行った。移動度の温度特性の結果、n-GaPはフォノン散乱が支配的であったが、n-GaP_<0.991>N_<0.009>:Siはイオン化不純物散乱が支配的であた。光伝導度過渡応答特性より、N組成が1%前後の時には、ドーパントを変えたことによる欠陥準位に大きな違いは見られなかった。 |
| 抄録(英) | In order to realize an optoelectronic integrated circuit (OEIC) united Si integrated circuit and luminescent device, a luminescent device has to be lattice matched to Si because III-V compound semiconductors are use a luminescent device. GaP_<0.98>N_<0.02> is lattice matched to Si. But, some defects in the luminescent materials degrades luminescent property. In this study, we investigated for deep levels by using photoconductivity transient measurement. According to temperature dependence of mobility, phonon scattering is dominant in n-type GaP. But, ionized impurity scattering is dominant in Si doped n-type GaP_<0.991>N_<0.009>. From photoconductivity transient measurement of GaPN with 1 % N content, there are no clear difference in defect formation by changing the dopant of Si and S. |
| キーワード(和) | 光電子融合集積回路 / GaPN / 光伝導度過渡応答特性 |
| キーワード(英) | optoelectronic intergrated circuit / GaPN / photoconductivity transient measurement |
| 資料番号 | ED2008-7,CPM2008-15,SDM2008-27 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2008/5/8(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 光伝導度過渡応答特性を用いたGaPNの深い準位の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料)) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Investigation of deep levels in GaPN by photoconductivity transient measurement |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 光電子融合集積回路 / optoelectronic intergrated circuit |
| キーワード(2)（和/英） | GaPN / GaPN |
| キーワード(3)（和/英） | 光伝導度過渡応答特性 / photoconductivity transient measurement |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 泉 佳太 / Keita IZUMI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学工学部 Faculty of Engineering, Toyohashi University of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 岡田 浩 / Hiroshi OKADA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学工学部 Faculty of Engineering, Toyohashi University of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 古川 雄三 / Yuzo FURUKAWA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学工学部 Faculty of Engineering, Toyohashi University of Technology |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 若原 昭浩 / Akihiro WAKAHARA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学工学部 Faculty of Engineering, Toyohashi University of Technology |
| 発表年月日 | 2008-05-15 |
| 資料番号 | ED2008-7,CPM2008-15,SDM2008-27 |
| 巻番号（vol） | vol.108 |
| 号番号（no） | 36 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |