講演名 2008-05-15
RFマグネトロンスパッタリング法によるβ-Ga_2O_3薄膜の生成(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
堀内 郁志, 以西 雅章,
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抄録(和) 近年環現問題に対する関心は年々高まってきている。そのため排気ガスの制御に利用される高温用酸素ガスセンサとして酸化ガリウムが注目されている。そこで本研究ではβ-Ga_2O_3薄膜をスパッタリング法で生成し、熱処理による結晶特性への影響、薄膜生成時のO_2ガス流量が与える結晶特性への影響について調べた。その結果、生成した薄膜は熱処理を行なうことで結晶特性が向上することがわかった。また、アルゴンと酸素の流量比が総流量2.4sccmにおいてAr:O_2=5:1のときに最もよい結晶特性の薄膜が得られた。
抄録(英) Interest for environmental problems has been growing these days. Gallium oxide have been focused as an oxygen (O_2) gas sensor which is used for controlling exhausted gases at high temperature. These films were deposited by a RF magnetron sputtering. The effects of annealing process and O_2 gas flow rate on crystallinity were investigated. As a result, it was found that the crystallinity was improved after annealing process. It was also found that high quality films could be prepared under the Ar:O_2 flow rate of 5:1 at the total gas pressure of 2.4sccm.
キーワード(和) 酸化ガリウム / 金属酸化物 / マグネトロンスパッタリング法 / 急速アニール / 酸素センサ
キーワード(英) Gallium oxide / Metal oxides / Magnetron sputtering method / Rapid thermal annealing (RTA) / Oxygen sensor
資料番号 ED2008-5,CPM2008-13,SDM2008-25
発行日

研究会情報
研究会 SDM
開催期間 2008/5/8(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Silicon Device and Materials (SDM)
本文の言語 JPN
タイトル(和) RFマグネトロンスパッタリング法によるβ-Ga_2O_3薄膜の生成(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
サブタイトル(和)
タイトル(英) Preparation of β-Ga_2O_3 films by RF magnetron sputtering method
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) 酸化ガリウム / Gallium oxide
キーワード(2)(和/英) 金属酸化物 / Metal oxides
キーワード(3)(和/英) マグネトロンスパッタリング法 / Magnetron sputtering method
キーワード(4)(和/英) 急速アニール / Rapid thermal annealing (RTA)
キーワード(5)(和/英) 酸素センサ / Oxygen sensor
第 1 著者 氏名(和/英) 堀内 郁志 / Takashi HORIUCHI
第 1 著者 所属(和/英) 静岡大学工学研究科
Graduate School of Engineering, Shizuoka University
第 2 著者 氏名(和/英) 以西 雅章 / Masaaki ISAI
第 2 著者 所属(和/英) 静岡大学工学研究科:静岡大学工学部
Graduate School of Engineering, Shizuoka University:Faculty of Engineering, Shizuoka University
発表年月日 2008-05-15
資料番号 ED2008-5,CPM2008-13,SDM2008-25
巻番号(vol) vol.108
号番号(no) 36
ページ範囲 pp.-
ページ数 4
発行日