講演名 2008-05-15
RFマグネトロンスパッタリング法によるLiMn_2O_4薄膜の生成(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
中村 功一, 細川 貴之, 酒井 里, 細江 俊介, 以西 雅章,
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抄録(和) Li二次電池の正極物質として、Mn酸化物が注目されている。この物質は材料費が安く、環境への影響も少ないという利点を持つ。本研究はスパッタリング法によるLiMn_2O_4薄膜の生成を目指した。LiMn_2O_4粉末をターゲット物質に使用し反応性スパッタリングを行った。反応性スパッタリングは,スパッタガスであるArにO_2ガスを混合し,酸素欠損を補い,科学量論的組成を持つ薄膜を作成する目的で使用した。
抄録(英) Manganese oxides have been focused as a cathode material for Li secondary batteries. Preparation of LiMn_2O_4 thin films were tried by using a reactive sputtering method. The reactive sputtering method was used to compensate the oxygen deficiency of LiMn_2O_4 films during sputtering process. It was intended to prepare the LiMn_2O_4 films with stoichiometry.
キーワード(和) Li二次電池 / LiMn_2O_4薄膜 / RFマグネトロンスパッタリング
キーワード(英) Li secondary batteries / LiMn_2O_4 thin film / RF magnetron sputtering
資料番号 ED2008-2,CPM2008-10,SDM2008-22
発行日

研究会情報
研究会 SDM
開催期間 2008/5/8(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Silicon Device and Materials (SDM)
本文の言語 JPN
タイトル(和) RFマグネトロンスパッタリング法によるLiMn_2O_4薄膜の生成(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
サブタイトル(和)
タイトル(英) Preparation of LiMn_2O_4 films by RF magnetron sputtering
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) Li二次電池 / Li secondary batteries
キーワード(2)(和/英) LiMn_2O_4薄膜 / LiMn_2O_4 thin film
キーワード(3)(和/英) RFマグネトロンスパッタリング / RF magnetron sputtering
第 1 著者 氏名(和/英) 中村 功一 / Koichi Nakamura
第 1 著者 所属(和/英) 静岡大学工学研究科
Graduate School of Faculty of Engineering, Shizuoka University
第 2 著者 氏名(和/英) 細川 貴之 / Takayuki Hosokawa
第 2 著者 所属(和/英) 静岡大学工学研究科
Graduate School of Faculty of Engineering, Shizuoka University
第 3 著者 氏名(和/英) 酒井 里 / Satoshi Sakai
第 3 著者 所属(和/英) 静岡大学工学部
Faculty of Engineering, Shizuoka University
第 4 著者 氏名(和/英) 細江 俊介 / Shunsuke Hosoe
第 4 著者 所属(和/英) 静岡大学工学部
Faculty of Engineering, Shizuoka University
第 5 著者 氏名(和/英) 以西 雅章 / Masaaki Isai
第 5 著者 所属(和/英) 静岡大学工学部:静岡大学工学研究科
Faculty of Engineering, Shizuoka University:Graduate School of Faculty of Engineering, Shizuoka University
発表年月日 2008-05-15
資料番号 ED2008-2,CPM2008-10,SDM2008-22
巻番号(vol) vol.108
号番号(no) 36
ページ範囲 pp.-
ページ数 4
発行日