| 講演名 | 2008-05-16 MOVPE法によるSi基板上のCdTe層へのヨウ素ドーピング特性(II)(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料)) 市橋 果, 山田 航, 甲斐 康寛, 渡邊 彰伸, 中西 智哉, 岡 寛樹, 仲島 甫, 安形 保則, ニラウラ マダン, 安田 和人, |
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| 抄録(和) | エチルヨウ素をn型不純物としてMOVPE法によるp型CdTe層の高抵抗化について検討を行った。成長温度510℃と610℃では、ヨウ素ドープCdTe層の抵抗率はVI/II比3.0の場合でEI供給量1×10^<-6> mol/min以上で急激に増加することが分かった。また、抵抗率はVI/II比3.0から1.0に減少した場合には、より少量のEI供給量で高抵抗化することが分かった。以上の結果から、CdTe層の高抵抗化の機構について検討を行った。 |
| 抄録(英) | Growth characteristics of high resistive CdTe layers by metal-organic vapor phase epitaxy have been studied. Layers were grown using dimethylcadmium (DMCd) and diethyltelluride (DETe) at growth temperature of 510℃ and 610℃, where ethyliodine (EI) was a dopant. At the supply rate ratio of DETe to DMCd (VI/II ratio) of 3.0, the resistivity of layers increased abruptly at the supply rate of EI above 1.0×10^<-6> mol/min. When the VI/II ratio was decreased to 1.0, the increase of the resistivity shifted to occur at lower supply rate of EI. The mechanisms of the high resistivity were also discussed. |
| キーワード(和) | MOVPE / 高抵抗CdTe / ヨウ素ドーピング / Si基板上のCdTe |
| キーワード(英) | MOVPE / high resistive CdTe / Iodine doping / CdTe on Si substrate |
| 資料番号 | ED2008-18,CPM2008-26,SDM2008-38 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 2008/5/8(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | MOVPE法によるSi基板上のCdTe層へのヨウ素ドーピング特性(II)(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料)) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Iodine doping of CdTe Layers Grown on Si substrates by MOVPE (II) |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | MOVPE / MOVPE |
| キーワード(2)（和/英） | 高抵抗CdTe / high resistive CdTe |
| キーワード(3)（和/英） | ヨウ素ドーピング / Iodine doping |
| キーワード(4)（和/英） | Si基板上のCdTe / CdTe on Si substrate |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 市橋 果 / Hatasu Ichihashi |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学機能工学専攻 Department of Engineering Physics, Electronics and Mechanics, Graduate School of Engineering, Nagoya Institute of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 山田 航 / Wataru Yamada |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学機能工学専攻 Department of Engineering Physics, Electronics and Mechanics, Graduate School of Engineering, Nagoya Institute of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 甲斐 康寛 / Yasuhiro Kai |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学機能工学専攻 Department of Engineering Physics, Electronics and Mechanics, Graduate School of Engineering, Nagoya Institute of Technology |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 渡邊 彰伸 / Akinobu Watanabe |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学機能工学専攻 Department of Engineering Physics, Electronics and Mechanics, Graduate School of Engineering, Nagoya Institute of Technology |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 中西 智哉 / Tomoya Nakanishi |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学機能工学専攻 Department of Engineering Physics, Electronics and Mechanics, Graduate School of Engineering, Nagoya Institute of Technology |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 岡 寛樹 / Hiroki Oka |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学機能工学専攻 Department of Engineering Physics, Electronics and Mechanics, Graduate School of Engineering, Nagoya Institute of Technology |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 仲島 甫 / Hajime Nakashima |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学機能工学専攻 Department of Engineering Physics, Electronics and Mechanics, Graduate School of Engineering, Nagoya Institute of Technology |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 安形 保則 / Yasunori Agata |
| 第 8 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学機能工学専攻 Department of Engineering Physics, Electronics and Mechanics, Graduate School of Engineering, Nagoya Institute of Technology |
| 第 9 著者 氏名（和/英） | ニラウラ マダン / Madan Niraula |
| 第 9 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学機能工学専攻 Department of Engineering Physics, Electronics and Mechanics, Graduate School of Engineering, Nagoya Institute of Technology |
| 第 10 著者 氏名（和/英） | 安田 和人 / Kazuhito Yasuda |
| 第 10 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学機能工学専攻 Department of Engineering Physics, Electronics and Mechanics, Graduate School of Engineering, Nagoya Institute of Technology |
| 発表年月日 | 2008-05-16 |
| 資料番号 | ED2008-18,CPM2008-26,SDM2008-38 |
| 巻番号（vol） | vol.108 |
| 号番号（no） | 35 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |