| 講演名 | 2008-04-12 Ge微結晶核を用いた多結晶Si薄膜形成(TFTの材料・デバイス技術・応用及び一般) 吉本 千秋, 大参 宏昌, 志村 考功, 垣内 弘章, 渡部 平司, 安武 潔, |
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| 抄録(和) | 現在、薄膜トランジスタに代表される大面積電子デバイスの高性能化には、大粒径多結晶Si薄膜の形成が必要とされている。我々は、ガラス基板上においてa-Geの固相結晶化と酸素エッチングによって作製した、Ge微結晶をSi結晶成長の核として用いることを提案し、Ge微結晶核によってa-Siの固相結晶化時間が大幅に短縮できることを示した。本研究では、種々の成膜条件によって形成したa-Si膜の結晶化過程を、ラマン散乱分光法により調べた。その結果、結晶化の活性化エネルギーはa-Siの成膜条件によって大きく異なることがわかった。さらに、フーリエ変換赤外分光測定(FTIR)及び昇温脱離法(TDS)による膜中水素濃度の測定結果から、Si-H結合の増加が結晶化の促進に寄与していることが明らかとなった。 |
| 抄録(英) | Large-grained poly-Si thin films are needed for the fabrication of high-performance thin film transistors (TFTs). We have proposed a method to form large-grained poly-Si thin films using nanocrystalline Ge nuclei on glass substrates. Ge nuclei are fabricated by a combination of the solid-phase crystallization (SPC) of a-Ge and the oxygen etching for controlling their size and density. Using this method, a remarkable reduction of crystallization time for a-Si films has been achieved. In this study, we have investigated the crystallization process of a-Si films with Ge nuclei using Raman spectroscopy. It was found that the activation energy for crystallization varies depending on the deposition method of a-Si films. Fourier transform infrared spectroscopy (FTIR) and thermal desorption spectroscopy (TDS) measurements revealed that the crystallization is accelerated when a-Si layer contains a large number of Si-H bonds. |
| キーワード(和) | 多結晶Si / Ge微結晶 / 固相結晶化 / 大粒径 |
| キーワード(英) | poly-Si / nanocrystalline Ge / solid phase crystallization / large grain |
| 資料番号 | SDM2008-18,OME2008-18 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | OME |
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| 開催期間 | 2008/4/4(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Organic Material Electronics (OME) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | Ge微結晶核を用いた多結晶Si薄膜形成(TFTの材料・デバイス技術・応用及び一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Formation of Polycrystalline Si Thin Films Using Nanocrystalline Ge Nuclei |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 多結晶Si / poly-Si |
| キーワード(2)（和/英） | Ge微結晶 / nanocrystalline Ge |
| キーワード(3)（和/英） | 固相結晶化 / solid phase crystallization |
| キーワード(4)（和/英） | 大粒径 / large grain |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 吉本 千秋 / Chiaki YOSHIMOTO |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 大阪大学大学院工学研究科 Graduate School of Engineering, Osaka University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 大参 宏昌 / Hiromasa OHMI |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 大阪大学大学院工学研究科 Graduate School of Engineering, Osaka University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 志村 考功 / Takayoshi SHIMURA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 大阪大学大学院工学研究科 Graduate School of Engineering, Osaka University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 垣内 弘章 / Hiroaki KAKIUCHI |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 大阪大学大学院工学研究科 Graduate School of Engineering, Osaka University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 渡部 平司 / Heiji WATANABE |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 大阪大学大学院工学研究科 Graduate School of Engineering, Osaka University |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 安武 潔 / Kiyoshi YASUTAKE |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 大阪大学大学院工学研究科 Graduate School of Engineering, Osaka University |
| 発表年月日 | 2008-04-12 |
| 資料番号 | SDM2008-18,OME2008-18 |
| 巻番号（vol） | vol.108 |
| 号番号（no） | 2 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |