| 講演名 | 2008-04-12 a-SiGe薄膜の低温結晶化機構の電子顕微鏡的研究(TFTの材料・デバイス技術・応用及び一般) 板倉 賢, 宮尾 正信, |
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| 抄録(和) | a-SiGe薄膜のNi金属誘起横方向結晶化(Ni-MILC)法による低温結晶化機構を解明するために,Si_<0.6>Ge_<0.4>薄膜の微細構造を透過電子顕微鏡(TEM)により解析した.450℃で熱処理した試料では,先端に半球状のNi (Si_<1-x>Ge_x)粒が形成され,それに続いて約30nm幅で数μm程の長さの針状Si_<0.6>Ge_<0.4>結晶が生成していた.一方550℃試料では,針状に結晶化した軸結晶に200nm程度の大きな樹枝状結晶が多数生成していた.これは針状結晶部分から新たに核生成・成長が起こったものと考えられ,高温側ではNi (Si_<1-x>Ge_x)誘起による結晶化と自然核生成による結晶化とが競合して複雑な結晶形態になることが明らかとなった. |
| 抄録(英) | Microstructures of Si_<0.6>Ge_<0.4> films were investigated by using a transmission electron microscopy (TEM) in order to clarify the low temperature crystallization mechanism in the Ni-metal induced lateral crystallization (Ni-MILC) process. In the specimen annealed at 450 ℃, narrow needlelike Si_<0.6>Ge_<0.4> crystallites about 30 nm in width are formed and a hemispherical Ni (Si_<1-x>Ge_x) nodule was recognized at each crystallization front. At 550 ℃, on the other hand, dendritic crystals composed of many SiGe grains about 200 nm in diameter was observed in the MILC region. In addition, needlelike crystallites were also found to penetrate the center of the dendritic aggregates. These results suggest that the needlelike SiGe crystallites are formed first in association with the formation and migration of Ni (Si_<1-x>Ge_x) precipitate, and subsequently SiGe grains are crystallized on the needlelike crystallites by the spontaneous nucleation and growth. |
| キーワード(和) | Ni金属誘起横方向結晶化 / Si-Ge薄膜 / Ni(Si,Ge)化合物 / 透過電子顕微鏡 |
| キーワード(英) | MILC process / Si-Ge thin films / Ni-monogermanosilicide / Transmission electron microscopy |
| 資料番号 | SDM2008-16,OME2008-16 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | OME |
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| 開催期間 | 2008/4/4(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Organic Material Electronics (OME) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | a-SiGe薄膜の低温結晶化機構の電子顕微鏡的研究(TFTの材料・デバイス技術・応用及び一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Electron Microscopic Study of Low Temperature Crystallization of a-SiGe Thin Film |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | Ni金属誘起横方向結晶化 / MILC process |
| キーワード(2)（和/英） | Si-Ge薄膜 / Si-Ge thin films |
| キーワード(3)（和/英） | Ni(Si,Ge)化合物 / Ni-monogermanosilicide |
| キーワード(4)（和/英） | 透過電子顕微鏡 / Transmission electron microscopy |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 板倉 賢 / Masaru ITAKURA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 九州大学大学院総合理工学研究院 Faculty of Engineering Sciences, Kyushu University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 宮尾 正信 / Masanobu MIYAO |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 九州大学大学院システム情報科学研究院 Faculty of Information Science and Electrical Engineering, Kyushu University |
| 発表年月日 | 2008-04-12 |
| 資料番号 | SDM2008-16,OME2008-16 |
| 巻番号（vol） | vol.108 |
| 号番号（no） | 2 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |