| 講演名 | 2008-04-11 有機TFTにおけるデバイスシミュレーション : 構造依存性(TFTの材料・デバイス技術・応用及び一般) 沈 昌勲, 服部 励治, 丸岡 史人, |
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| 抄録(和) | 有機TFTにおいてソース/ドレインコンタクトをショットキー障壁接合とし,プラナ型とスタガ型構造において2次元デバイスシミュレーションを行った.これにより,コンタクト障壁が高い場合,スタガ型構造の方が電界効果移動度の減少が格段に小さく,障壁が高くなりがちな有機TFTではスタガ構造が優位であることが示された. |
| 抄録(英) | We carried out 2-D device simulation of Organic Thin Film Transistor (OTFT) characteristics and showed the difference between staggered and planar structures when the contacts of source/drain were assumed to be Schottky barrier. The results indicate that the decrease of field-effect-mobility in the staggered structure is smaller than that in the planar structure when Schottky barrier is high. Therefore, the staggered structure is superior in OTFT which has relatively high Schottky barrier height. |
| キーワード(和) | 有機TFT / スタガ構造 / プラナ構造 / 接触抵抗 |
| キーワード(英) | OTFT / Staggered Structure / Planar Structure / Contact Resistance |
| 資料番号 | SDM2008-14,OME2008-14 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | OME |
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| 開催期間 | 2008/4/4(から1日開催) |
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| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Organic Material Electronics (OME) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 有機TFTにおけるデバイスシミュレーション : 構造依存性(TFTの材料・デバイス技術・応用及び一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Device Simulation on Organic TFT : Dependence on a Structure |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 有機TFT / OTFT |
| キーワード(2)（和/英） | スタガ構造 / Staggered Structure |
| キーワード(3)（和/英） | プラナ構造 / Planar Structure |
| キーワード(4)（和/英） | 接触抵抗 / Contact Resistance |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 沈 昌勲 / Chang-Hoon Shim |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 九州大学大学院システム情報科学府電子デバイス工学専攻 Department of Electronics, Kyushu University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 服部 励治 / Reiji Hattori |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 九州大学大学院システム情報科学府電子デバイス工学専攻 Department of Electronics, Kyushu University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 丸岡 史人 / Fumito Maruoka |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 九州大学大学院システム情報科学府電子デバイス工学専攻 Department of Electronics, Kyushu University |
| 発表年月日 | 2008-04-11 |
| 資料番号 | SDM2008-14,OME2008-14 |
| 巻番号（vol） | vol.108 |
| 号番号（no） | 2 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
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