| 講演名 | 2008-04-11 原子状水素アニール処理によるペンタセンTFTの絶縁膜界面特性の向上(TFTの材料・デバイス技術・応用及び一般) 部家 彰, 佐藤 真彦, 長谷川 裕師, 松尾 直人, |
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| 抄録(和) | 加熱触媒体線で分解・生成した原子状水素をゲート絶縁膜に吹き付ける「原子状水素アニール(AHA)処理」を行うことで,絶縁膜の表面改質を行い,その上に形成されるペンタセン膜の膜質を変化させるとともに,有機薄膜トランジスタの特性を向上させることを試みた.AHA処理によりゲート絶縁膜(SiO_2)表面の還元反応が起こり,SiO_2の表面エネルギーが42dyne/cmから39dyne/cmに変化した.また,AHA処理によりペンタセン膜の結晶粒径は増加しなかったが,I_ |
| 抄録(英) | We tried to improve electrical properties of organic thin-film transistors (OTFTs) by atomic hydrogen annealing (AHA). In this method, the gate insulator (SiO_2) was exposed to atomic hydrogens generated by cracking of hydrogen molecules on heated tungsten wire. The surface properties of SiO_2 were changed by AHA. For the pentacene OTFT fabricated on SiO_2/Si substrate, the on/off ratio was improved from 10 to 100 and the threshold voltage was decreased from 65 to 16 V by AHA. It is considered that the negative charges at interface of SiO_2 film and Si substrate were removed by atomic hydrogens. |
| キーワード(和) | 原子状水素アニール / 有機薄膜トランジスタ / ペンタセン / 界面特性 |
| キーワード(英) | atomic hydrogen annealing / organic thin film transistor / pentacene / interface property |
| 資料番号 | SDM2008-13,OME2008-13 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | OME |
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| 開催期間 | 2008/4/4(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Organic Material Electronics (OME) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 原子状水素アニール処理によるペンタセンTFTの絶縁膜界面特性の向上(TFTの材料・デバイス技術・応用及び一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Improvement of Interface Property in Pentacene TFT by Atomic Hydrogen Annealing |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 原子状水素アニール / atomic hydrogen annealing |
| キーワード(2)（和/英） | 有機薄膜トランジスタ / organic thin film transistor |
| キーワード(3)（和/英） | ペンタセン / pentacene |
| キーワード(4)（和/英） | 界面特性 / interface property |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 部家 彰 / Akira HEYA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 兵庫県立大学大学院工学研究科 University of Hyogo |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 佐藤 真彦 / Masahiko SATO |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 兵庫県立大学大学院工学研究科 University of Hyogo |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 長谷川 裕師 / Hiroshi HASEGAWA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 兵庫県立大学大学院工学研究科 University of Hyogo |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 松尾 直人 / Naoto MATSUO |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 兵庫県立大学大学院工学研究科 University of Hyogo |
| 発表年月日 | 2008-04-11 |
| 資料番号 | SDM2008-13,OME2008-13 |
| 巻番号（vol） | vol.108 |
| 号番号（no） | 2 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |