| 講演名 | 2008-04-11 強誘電体および高誘電率材料をゲート絶縁膜に用いた酸化物チャネル薄膜トランジスタ(TFTの材料・デバイス技術・応用及び一般) 徳光 永輔, 柴田 宏, 大岩 朝洋, 近藤 洋平, |
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| 抄録(和) | 強誘電体と高誘電率材料をゲート絶縁膜に用いた酸化物チャネル薄膜トランジスタの電気的特性を報告する。強誘電体や高誘電率材料は、誘起できる電荷量が従来のSiO_2よりも大きいため、比較的低い動作電圧でも大きなオン電流が得られる。さらに強誘電体の場合には不揮発性のメモリ機能も発現される。本研究ではこの大電荷制御という特長を生かして、ゲート絶縁膜には強誘電体(Bi,La)_4Ti_3O_<12> (BLT)および高誘電率材料のBi_<1.5>Zn_<1.0>Nb_<1.5>O_7 (BZN)を用いて、キャリア濃度の高いインジウム・スズ酸化物(ITO)のチャネルを制御する薄膜トランジスタ(TFT)を報告する。石英基板上に形成するとこれらの素子は透明であり、7桁以上のオンオフ比を持つ良好な電気的特性が得られた。 |
| 抄録(英) | We report electrical properties of thin film transistors (TFTs) using ferroelectric and high-dielectric-constant (high-k) materials as gate insulators. Such gate insulators can induce larger charge density than conventional SiO_2 gate insulator., which results in large on current. In addition, nonvolatile memory device can be realized by the ferroelectric-gate insulator. In this work, indium tin oxide (ITO) was used as a channel material, whose conductivity is controlled by ferroelectric (Bi,La)_4Ti_3O_<12> (BLT) or Bi_<1.5>Zn_<1.0>Nb_<1.5>O_7 (BZN). ITO-channel TFTs with BLT and BZN gate insulators fabricated on quartz substrate are transparent, and exhibit good electrical properties with a drain current on/off current ratio of 10^7 are demonstrated. |
| キーワード(和) | 薄膜トランジスタ / 酸化物半導体 / 強誘電体 / 高誘電率材料 |
| キーワード(英) | thin film transistor / oxide semiconductor / ferroelectric / high-k materials |
| 資料番号 | SDM2008-11,OME2008-11 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | OME |
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| 開催期間 | 2008/4/4(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Organic Material Electronics (OME) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 強誘電体および高誘電率材料をゲート絶縁膜に用いた酸化物チャネル薄膜トランジスタ(TFTの材料・デバイス技術・応用及び一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Oxide-channel thin film transistors with ferroelectric and high-k gate insulators |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 薄膜トランジスタ / thin film transistor |
| キーワード(2)（和/英） | 酸化物半導体 / oxide semiconductor |
| キーワード(3)（和/英） | 強誘電体 / ferroelectric |
| キーワード(4)（和/英） | 高誘電率材料 / high-k materials |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 徳光 永輔 / Eisuke Tokumitsu |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東京工業大学精密工学研究所 Tokyo Institute of Technology, Precision and Intelligence Laboratory |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 柴田 宏 / Hiroshi Shibata |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東京工業大学精密工学研究所 Tokyo Institute of Technology, Precision and Intelligence Laboratory |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 大岩 朝洋 / Tomohiro Oiwa |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 東京工業大学精密工学研究所 Tokyo Institute of Technology, Precision and Intelligence Laboratory |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 近藤 洋平 / Yohei Kondo |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 東京工業大学精密工学研究所 Tokyo Institute of Technology, Precision and Intelligence Laboratory |
| 発表年月日 | 2008-04-11 |
| 資料番号 | SDM2008-11,OME2008-11 |
| 巻番号（vol） | vol.108 |
| 号番号（no） | 2 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |