| 講演名 | 2008-04-11 ITO/AlNiNdコンタクト形成メカニズムの解明(TFTの材料・デバイス技術・応用及び一般) 河瀬 和雅, 本谷 宗, 谷村 純二, 津村 直樹, 長山 顕祐, 石賀 展昭, 井上 和式, |
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| 抄録(和) | AlNiNd上にITOをスパッタ成膜した際の,ITO/AlNiNd界面の化学結合状態,結晶状態,元素分布を詳細に調べた。AlNiNd成膜後にポストアニールしない場合,ITO/AlNiNd界面には一様に酸化膜が形成され,電気的コンタクトが形成されない。一方,AlNiNd成膜後にポストアニールした場合,Al_3Ni結晶相が析出し,この相はITO成膜時に全く酸化されない。このAl_3Ni結晶相がITOとAlNiNdの間の導通パスとなるため,ITO/AlNiNdダイレクトコンタクトが形成される。 |
| 抄録(英) | The chemical bonding state, crystallized state and element distribution near ITO/AlNiNd interface are investigated. In the case of without post annealing after AlNiNd sputtering, uniform Al_2O_3 layer is grown during ITO sputtering process and electric contact is not formed. In the case of with post annealing, Al_3Ni crystal grains are formed and those are not oxidized during ITO sputtering process. ITO/AlNiNd direct electric contact is fabricated because electric current flows through the Al_3Ni crystal grains. |
| キーワード(和) | TFT / contact / AlNi / AlNd / ITO / XPS / TEM / EDX / XD |
| キーワード(英) | TFT / contact / AlNi / AlNd / ITO / XPS / TEM / EDX / XD |
| 資料番号 | SDM2008-8,OME2008-8 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | OME |
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| 開催期間 | 2008/4/4(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Organic Material Electronics (OME) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | ITO/AlNiNdコンタクト形成メカニズムの解明(TFTの材料・デバイス技術・応用及び一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Clarification of ITO/AlNiNd contact formation mechanism |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | TFT / TFT |
| キーワード(2)（和/英） | contact / contact |
| キーワード(3)（和/英） | AlNi / AlNi |
| キーワード(4)（和/英） | AlNd / AlNd |
| キーワード(5)（和/英） | ITO / ITO |
| キーワード(6)（和/英） | XPS / XPS |
| キーワード(7)（和/英） | TEM / TEM |
| キーワード(8)（和/英） | EDX / EDX |
| キーワード(9)（和/英） | XD / XD |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 河瀬 和雅 / Kazumasa Kawase |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 三菱電機(株)先端総研 Advanced Technology R&D Center, Mitsubishi Electric Corporation |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 本谷 宗 / Tsukasa Motoya |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 三菱電機(株)先端総研 Advanced Technology R&D Center, Mitsubishi Electric Corporation |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 谷村 純二 / Junji Tanimura |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 三菱電機(株)先端総研 Advanced Technology R&D Center, Mitsubishi Electric Corporation |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 津村 直樹 / Naoki Tsumura |
| 第 4 著者 所属（和/英） | メルコ・ディスプレイ・テクノロジー(株) Melco Display Technology Inc. |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 長山 顕祐 / Kensuke Nagayama |
| 第 5 著者 所属（和/英） | メルコ・ディスプレイ・テクノロジー(株) Melco Display Technology Inc. |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 石賀 展昭 / Nobuaki Ishiga |
| 第 6 著者 所属（和/英） | メルコ・ディスプレイ・テクノロジー(株) Melco Display Technology Inc. |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 井上 和式 / Kazunori Inoue |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 三菱電機(株)先端総研 Advanced Technology R&D Center, Mitsubishi Electric Corporation |
| 発表年月日 | 2008-04-11 |
| 資料番号 | SDM2008-8,OME2008-8 |
| 巻番号（vol） | vol.108 |
| 号番号（no） | 2 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |