| 講演名 | 2008-04-11 Si系薄膜光センサデバイス(TFTの材料・デバイス技術・応用及び一般) 田井 光春, 昆野 康隆, 波多野 睦子, 宮沢 敏夫, |
|---|---|
| PDFダウンロードページ |  PDFダウンロードページへ |
| 抄録(和) | ディスプレイへの機能付加を目的として,薄膜トランジスタの光誘起電流特性を調べ,光センサ素子としての適用可能性を検討した.a-Si TFTとpoly-Si TFTの光誘起電流を評価し,同程度の素子スケールでは,出力値はpoly-Si TFTの方が20倍以上高くなる一方で,S/N比はa-Si TFTの方が30倍程度良好であることが判った.また相対感度の波長依存性から,a-Si TFTの方が,標準比視感度に対する整合性が良いことが判った.加えてpoly-Si TFTのS/N比向上を目的として,オフセット構造TFTを検討し,S/N比を約6倍改善することで,poly-Si PIN型ダイオードに近い出力特性が得られることを確認した. |
| 抄録(英) | In order to integrate new functions into display panel, thin-film transistor is considered as photo-sensor device, and its photo-induced current is investigated. While the value of photo-induced current in poly-Si TFT is over 20 times as large as the one in a-Si TFT, S/N ratio of a-Si TFT is higher by 30 times of magnitude than that of poly-Si TFT. The relative sensitivity of a-Si TFT more corresponds to the spectral luminous efficiency than that of poly-Si TFT. Simultaneously, poly-Si TFT with offset structure is evaluated to improve S/N ratio and it is increased by 6 times of magnitude. The performance of offset TFT is almost same as PIN diode with poly-Si. |
| キーワード(和) | 光センサ / 薄膜トランジスタ / オフセット構造 / 多結晶シリコン / 非晶質シリコン |
| キーワード(英) | Photo-Sensor / Thin-Film Transistor / OFFSET Structure / Polycrystalline Silicon / Amorphous Silicon |
| 資料番号 | SDM2008-7,OME2008-7 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | OME |
|---|---|
| 開催期間 | 2008/4/4(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Organic Material Electronics (OME) |
|---|---|
| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | Si系薄膜光センサデバイス(TFTの材料・デバイス技術・応用及び一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Application of Si Thin-Film to Photo-Sensor Devices |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 光センサ / Photo-Sensor |
| キーワード(2)（和/英） | 薄膜トランジスタ / Thin-Film Transistor |
| キーワード(3)（和/英） | オフセット構造 / OFFSET Structure |
| キーワード(4)（和/英） | 多結晶シリコン / Polycrystalline Silicon |
| キーワード(5)（和/英） | 非晶質シリコン / Amorphous Silicon |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 田井 光春 / Mitsuharu TAI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 日立製作所 Hitachi, Ltd. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 昆野 康隆 / Yasutaka KONNO |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 日立製作所 Hitachi, Ltd. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 波多野 睦子 / Mutsuko HATANO |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 日立製作所 Hitachi, Ltd. |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 宮沢 敏夫 / Toshio MIYAZAWA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 日立ディスプレイズ Hitachi Displays, Ltd. |
| 発表年月日 | 2008-04-11 |
| 資料番号 | SDM2008-7,OME2008-7 |
| 巻番号（vol） | vol.108 |
| 号番号（no） | 2 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |