| 講演名 | 2008-04-11 ガラス基板上不純物ドープSi薄膜のアニールによる電気的活性化(TFTの材料・デバイス技術・応用及び一般) 野口 隆, 宮平 知幸, 川井 健司, 鈴木 俊治, 佐藤 正輝, |
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| 抄録(和) | |
| 抄録(英) | After UV pulsed excimer laser annealing for heavily boron-, or phosphorous doped Si film, the relation between the conductivity (related to the sheet resistance) and the crystallinity was studied. As a result, the sheet resistance decreased with improving the crystallinity. By adopting and optimizing the UV pulsed excimer laser annealing, efficient solidified activation after melting occurs, the Si film of 50 nm thickness shows extremely low sheet resistance below 90 ohm/□ for phosphorus dose of 2E15 cm^<-2> and of 50 ohm/□ for boron dose of 5E15 cm^<-2>. The result of effective activation for the doped Si film is comparable to the result for bulk single-crystalline Si under thermal equilibrium condition. ELA activation subsequently after ion implantation is effective and is expected to a formation of source and drain or Si gate in CMOS TFTs as well as an electrode for pin sensor diode for SoP (System on Panel) application. |
| キーワード(和) | |
| キーワード(英) | Poly-Si / TFT / sheet resistance / conductivity / activation / ion doping / ELA / TFT / photo-diode sensor |
| 資料番号 | SDM2008-4,OME2008-4 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | OME |
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| 開催期間 | 2008/4/4(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Organic Material Electronics (OME) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | ガラス基板上不純物ドープSi薄膜のアニールによる電気的活性化(TFTの材料・デバイス技術・応用及び一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Electrical activation of heavily doped Si film by crystallization annealing |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | / Poly-Si |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 野口 隆 / Takashi Noguchi |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 琉球大学工学部 Faculty of Engineering, University of the Ryukyus |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 宮平 知幸 / Tomoyuki Miyahira |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 琉球大学工学部 Faculty of Engineering, University of the Ryukyus |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 川井 健司 / Kenji Kawai |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 琉球大学工学部 Faculty of Engineering, University of the Ryukyus |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 鈴木 俊治 / Toshiharu Suzuki |
| 第 4 著者 所属（和/英） | SEN SEN (an SHI and Axcelis Company) |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 佐藤 正輝 / Masateru Sato |
| 第 5 著者 所属（和/英） | SEN SEN (an SHI and Axcelis Company) |
| 発表年月日 | 2008-04-11 |
| 資料番号 | SDM2008-4,OME2008-4 |
| 巻番号（vol） | vol.108 |
| 号番号（no） | 2 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |