| 講演名 | 2008-01-25 Performance of Organic Field Effect Transistors with Fluorinated Copper Phthalocyanine as Active Layer and Polymer Dielectric Layer as Gate Insulating Layer , |
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| 抄録(和) | |
| 抄録(英) | N-type organic field effect transistors (N type-OFETs) are prepared with a fluorinated copper phthalocyanine (F_<16>CuPc) thin film as an organic semiconductor and a polycarbonate thin film as gate insulating material and their performance, including carrier mobility, on/off ratio, and threshold voltage, are evaluated from the output characteristics of OFETs. The field effect mobility is 5.7×10^<-3> cm^2/ Vs, the on/off ratio is 10^4 and the threshold voltage is 5V under atmospheric condition. Electron mobility is found to be strongly dependent on the surface temperature of the polycarbonate thin film depositing F_<16>CuPc molecule. X-ray diffraction results show that the crystallinity and orientation or alignment of the F_<16>CuPc thin film evaporated on a polycarbonate thin film are enhanced with the increase of surface temperature of the polycarbonate thin film. The field effect mobility evaluated by the output characteristics of F_<16>CuPc-OFET is closely related to the crystallinity and orientation or alignment of the F_<16>CuPc thin film. |
| キーワード(和) | |
| キーワード(英) | organic semiconductor / polycarbonate / fluorinated copper phthalocyanine / organic field effect transistor / organic thin film |
| 資料番号 | OME2007-79 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | OME |
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| 開催期間 | 2008/1/18(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Organic Material Electronics (OME) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Performance of Organic Field Effect Transistors with Fluorinated Copper Phthalocyanine as Active Layer and Polymer Dielectric Layer as Gate Insulating Layer |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | / organic semiconductor |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | / Kunjithapatham SETHURAMAN |
| 第 1 著者 所属（和/英） | Department of Electrical Engineering, Aichi Institute of Technology |
| 発表年月日 | 2008-01-25 |
| 資料番号 | OME2007-79 |
| 巻番号（vol） | vol.107 |
| 号番号（no） | 459 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |