講演名 2008-01-25
有機FETのためのジベンゾクリセン薄膜の作成と物性(有機材料,一般)
藤田 圭介, 木村 眞, 森 竜雄,
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抄録(和) 有機電界効果トランジスタ(OFET)において半導体材料にペンタセンが用いれられ、a-Siを並の移動度が報告されている。我々はペンタセン同様、縮合多環芳香族で構成されたジベンゾクリセンに着目し、薄膜の作成を行った。ジベンゾクリセンは合成が容易、可溶などの特徴をもつ。真空蒸着法で作成し、蒸着速度の依存性を調べた。0.2nm/sでは均質な非晶質膜、1.7×10-<-3>nm/sでは結晶性の島状構造膜が得られた。また、膜を低真空で放置しておくことで膜構造の変化が見られた。変化した膜は結品性が強くなり、結晶が大きく成長していることがわかった。膜構造を制御するためにバッファ層の導入、基板の昇温行ったが、膜構造の変化を緩和することには成功したが十分な抑制はできなかった。
抄録(英) For organic field effect transistors (OFETs), pentacene is used as a typical semiconductor material and has as high mobility as a-Si. Dibenzochrysene as well as pentacene consists of only aromatic rings. Itcan be synthesized by simple procedure and has higher solubility than pentacene. We found that the morphology of dibenzochrysene film depended on a deposition rate. The films fabricated with 0.2nm/s and 1.7×10^<-3>nm/s were amorphous and island structure, respectively. The morphology for Dibenzochrysene films changed with time in low vacuum. The post film showed higher crystalline and larger crystals than before. We studied the effect of buffer layer and rising substrate temperature for the suppression of molecular migration, but we could not be successful.
キーワード(和) 有機FET / 真空蒸着 / ジベンゾクリセン / ペンタセン
キーワード(英) organic field effect transistors / vacuum evaporation / dibenzochrysene / pentacene
資料番号 OME2007-78
発行日

研究会情報
研究会 OME
開催期間 2008/1/18(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Organic Material Electronics (OME)
本文の言語 JPN
タイトル(和) 有機FETのためのジベンゾクリセン薄膜の作成と物性(有機材料,一般)
サブタイトル(和)
タイトル(英) Fabrication and property of dibenzochrysene film for organic field effect transistor
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) 有機FET / organic field effect transistors
キーワード(2)(和/英) 真空蒸着 / vacuum evaporation
キーワード(3)(和/英) ジベンゾクリセン / dibenzochrysene
キーワード(4)(和/英) ペンタセン / pentacene
第 1 著者 氏名(和/英) 藤田 圭介 / Keisuke FUJITA
第 1 著者 所属(和/英) 名古屋大学大学院工学研究科
Department of Electrical Engineering and Computer Science, Graduate School of Engineering, Nagoya university
第 2 著者 氏名(和/英) 木村 眞 / Makoto KIMURA
第 2 著者 所属(和/英) 名古屋大学大学院工学研究科
Department of Electrical Engineering and Computer Science, Graduate School of Engineering, Nagoya university
第 3 著者 氏名(和/英) 森 竜雄 / Tatsuo MORI
第 3 著者 所属(和/英) 名古屋大学大学院工学研究科
Department of Electrical Engineering and Computer Science, Graduate School of Engineering, Nagoya university
発表年月日 2008-01-25
資料番号 OME2007-78
巻番号(vol) vol.107
号番号(no) 459
ページ範囲 pp.-
ページ数 5
発行日