講演名 2008-01-17
di/dt検出回路を用いた基板ノイズ低減の最適化(<特集>チップ・パッケージ・ボードにおけるパワーインテグリティの設計評価,LSIシステムの実装・モジュール化・インタフェース技術、テスト技術、一般)
名倉 徹, 風間 大輔, 池田 誠, 浅田 邦博,
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抄録(和) 本論文では、前研究により提案されているdi/dt検出回路を用いたフィードフォワード・アクティブ基板ノイズ低減手法に関して、さらなるノイズ低減に向けた検討について報告する。さらなるノイズ低減を実現するために、本研究ではdi/dt検出回路を構成する要素ブロックのパラメータの解析を行うとともに、キャンセル信号注入場所の依存性や、DCブロック容量の依存性などについても解析を行った。提案回路は0.35μm CMOSプロセスを用いて実現した。キャンセル信号注入はノイズ源から遠いほど効果的であり、また、キャンセラーの利得を増やすことよりも、サイズの大きいインダクタを搭載する方が効果的であることを実験的に示した。
抄録(英) This paper demonstrates study on a feedforward active substrate noise cancelling technique using a power supply di/dt detector. Our past study realized substrate noise cancelling using the di/dt detector. For further substrate noise reduction, this study analyses the parameters which constitute a di/dt canceller, such as a distance dependence of a noise injection point from a noise source, and DC blocking capacitance. The test chip was fabricated using 0.35μm CMOS technology. It is shown that the cancel signal gets more effective as the distance from the noise source ant the noise injection points gets longer. It is also shown that it is more effeactive to use a large inductance rather than a large amplifier of the canceller.
キーワード(和) アクティブノイズ低減 / 基板ノイズ / di/dt
キーワード(英) active noise reduction / substrate noise / di/dt
資料番号 CPM2007-130,ICD2007-141
発行日

研究会情報
研究会 ICD
開催期間 2008/1/10(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Integrated Circuits and Devices (ICD)
本文の言語 JPN
タイトル(和) di/dt検出回路を用いた基板ノイズ低減の最適化(<特集>チップ・パッケージ・ボードにおけるパワーインテグリティの設計評価,LSIシステムの実装・モジュール化・インタフェース技術、テスト技術、一般)
サブタイトル(和)
タイトル(英) Study on Active Substrate Noise Cancelling Technique using Power Line di/dt Detector
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) アクティブノイズ低減 / active noise reduction
キーワード(2)(和/英) 基板ノイズ / substrate noise
キーワード(3)(和/英) di/dt / di/dt
第 1 著者 氏名(和/英) 名倉 徹 / Toru NAKURA
第 1 著者 所属(和/英) 東京大学VDEC
VDEC, The University of Tokyo
第 2 著者 氏名(和/英) 風間 大輔 / Taisuke KAZAMA
第 2 著者 所属(和/英) 東京大学大学院工学系研究科
Faculty of Engineering, The University of Tokyo
第 3 著者 氏名(和/英) 池田 誠 / Makoto IKEDA
第 3 著者 所属(和/英) 東京大学VDEC
VDEC, The University of Tokyo
第 4 著者 氏名(和/英) 浅田 邦博 / Kunihiro ASADA
第 4 著者 所属(和/英) 東京大学VDEC
VDEC, The University of Tokyo
発表年月日 2008-01-17
資料番号 CPM2007-130,ICD2007-141
巻番号(vol) vol.107
号番号(no) 426
ページ範囲 pp.-
ページ数 6
発行日