| 講演名 | 2008/1/17 高精細FED用ダブルゲートFEAの開発(ディスプレイに関する技術全般,LCD(バックライトを含む),PDP,有機/無機EL,CRT,FED,VFD,LEDなどのディスプレイに関するデバイス,部品・材料及び応用技術,発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会) 惣田 崇志, 武田 匡史, 長尾 昌善, 吉田 知也, 金丸 正剛, 根尾 陽一郎, 青木 徹, 三村 秀典, |
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| 抄録(和) | 従来のダブルゲートFEAを用いて電子ビームを集束させた時、電流量が減少してしまうという問題があった。そこで電流量を改善するにはエミッタをゲートで囲う構造に変更し、フォーカス電極の高さを変化させることが有効であると考えた。FEA構造を最適化し、フォーカス電極の高さを低くすることにより電流量減少を改善することができた。 |
| 抄録(英) | When the electron beam emitted from a usual double-gated FEA structure is focused by using the focusing electrode, the emission current drastically decreases. To prevent the decrease of the emission current, we have fabricated the novel FEA structure where the emitter tip is surrounded by the gate electrode and the height of the focusing electrode is controllable. We have improved the decrease of the emission current during the operation of the focusing electrode by using the FEA with a low focusing electrode in height. |
| キーワード(和) | フィールドエミッタアレイ / ダブルゲート / エッチバック |
| キーワード(英) | field emitter array / double-gate / etch-back |
| 資料番号 | EID2007-73 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | EID |
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| 開催期間 | 2008/1/17(から1日開催) |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electronic Information Displays (EID) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 高精細FED用ダブルゲートFEAの開発(ディスプレイに関する技術全般,LCD(バックライトを含む),PDP,有機/無機EL,CRT,FED,VFD,LEDなどのディスプレイに関するデバイス,部品・材料及び応用技術,発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Development of double-gated FEA for high definition display |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | フィールドエミッタアレイ / field emitter array |
| キーワード(2)（和/英） | ダブルゲート / double-gate |
| キーワード(3)（和/英） | エッチバック / etch-back |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 惣田 崇志 / Takashi SODA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 静岡大学電子工学研究所 Research Institute of Electronics, Shizuoka University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 武田 匡史 / Masafumi TAKEDA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 静岡大学電子工学研究所 Research Institute of Electronics, Shizuoka University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 長尾 昌善 / Masayoshi NAGAO |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 National Institute of Advanced Industrial Science & Technology |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 吉田 知也 / Tomoya YOSHIDA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 National Institute of Advanced Industrial Science & Technology |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 金丸 正剛 / Seigo KANEMARU |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 National Institute of Advanced Industrial Science & Technology |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 根尾 陽一郎 / Yoichiro NEO |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 静岡大学電子工学研究所 Research Institute of Electronics, Shizuoka University |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 青木 徹 / Toru AOKI |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 静岡大学電子工学研究所 Research Institute of Electronics, Shizuoka University |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 三村 秀典 / Hidenori MIMURA |
| 第 8 著者 所属（和/英） | 静岡大学電子工学研究所 Research Institute of Electronics, Shizuoka University |
| 発表年月日 | 2008/1/17 |
| 資料番号 | EID2007-73 |
| 巻番号（vol） | vol.107 |
| 号番号（no） | 453 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
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