| 講演名 | 2008-01-31 集束電極付FEAを用いたCdTe-X線イメージセンサの提案(機能ナノデバイスとおよび関連技術) 塙 裕一郎, 坂田 拓也, 惣田 崇志, 韓 貴, 森井 久史, 松原 勝見, 山下 進, 長尾 昌善, 金丸 正剛, 根尾 陽一郎, 青木 徹, 三村 秀典, |
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| 抄録(和) | 高解像度X線画像の取得を目標として、FEAとCdTe素子を対向に配置したFEA駆動CdTe-X線イメージセンサを提案し、1画素における原理検証において良好な結果を得た。更に12×12画素における画像取得に向けてマトリクス駆動FEAの試作を行った。またCdTe-X線イメージセンサのさらなる高解像度化を図るため、電子ビームの集束レンズを同一基板内に有したダブルゲート構造FEAの提案・開発を行った。エッチバック法を用い、ダブルゲート構造FEAを作製・評価した結果、集束電極の高さを最適化することで集束動作に伴う放射電流量減少を改善し、良好なビーム集束特性を確認できた。これらの結果から、ダブルゲート構造FEAを用いたFEA駆動CdTe-X線高精細イメージセンサが実現できると考えられる。 |
| 抄録(英) | We proposed a novel CdTe X-ray image sensor, which was driven by the FEA, to obtain high spatial resolution X-ray images and have demonstrated the principle operation by using the CdTe image sensor with one pixel. We have also fabricated a FEA matrix with 12×12 pixels to obtain X-ray images. For the further improvement of spatial resolution in the CdTe image sensor, we have proposed a novel double-gated FEA with a focusing lens, which was fabricated by using the etch-back method. The double-gated FEA showed a good focusing characteristic without significant decrease of the emission current, when the height of the focus electrode was optimized. The CdTe image sensor driven by the double-gated FEA is promising for an ultra-high-resolution X-ray image sensor. |
| キーワード(和) | CdTe-X線イメージセンサ / M-π-n型CdTeダイオード / マトリクス駆動FEA / ダブルゲート構造FEA |
| キーワード(英) | CdTe X-ray image sensor / M-π-n structured CdTe diode / Matrix FEA / Double-gated FEA |
| 資料番号 | ED2007-246,SDM2007-257 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2008/1/23(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 集束電極付FEAを用いたCdTe-X線イメージセンサの提案(機能ナノデバイスとおよび関連技術) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Proposal of CdTe X-ray image sensor driven by FEA with focusing electrode |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | CdTe-X線イメージセンサ / CdTe X-ray image sensor |
| キーワード(2)（和/英） | M-π-n型CdTeダイオード / M-π-n structured CdTe diode |
| キーワード(3)（和/英） | マトリクス駆動FEA / Matrix FEA |
| キーワード(4)（和/英） | ダブルゲート構造FEA / Double-gated FEA |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 塙 裕一郎 / Yuichiro HANAWA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 静岡大学電子工学研究所 Research Institute of Electronics, Shizuoka University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 坂田 拓也 / Takuya SAKATA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 静岡大学電子工学研究所 Research Institute of Electronics, Shizuoka University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 惣田 崇志 / Takashi SODA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 静岡大学電子工学研究所 Research Institute of Electronics, Shizuoka University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 韓 貴 / Gui HAN |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 静岡大学電子工学研究所 Research Institute of Electronics, Shizuoka University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 森井 久史 / Hisashi MORII |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 静岡大学電子工学研究所 Research Institute of Electronics, Shizuoka University |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 松原 勝見 / Katsumi MATSUBARA |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 静岡大学電子工学研究所 Research Institute of Electronics, Shizuoka University |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 山下 進 / Susumu YAMASHITA |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 静岡大学電子工学研究所 Research Institute of Electronics, Shizuoka University |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 長尾 昌善 / Masayoshi NAGAO |
| 第 8 著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 National Institute of Advanced Industrial Science and Technology |
| 第 9 著者 氏名（和/英） | 金丸 正剛 / Seigo KANEMARU |
| 第 9 著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 National Institute of Advanced Industrial Science and Technology |
| 第 10 著者 氏名（和/英） | 根尾 陽一郎 / Yoichiro NEO |
| 第 10 著者 所属（和/英） | 静岡大学電子工学研究所 Research Institute of Electronics, Shizuoka University |
| 第 11 著者 氏名（和/英） | 青木 徹 / Toru AOKI |
| 第 11 著者 所属（和/英） | 静岡大学電子工学研究所 Research Institute of Electronics, Shizuoka University |
| 第 12 著者 氏名（和/英） | 三村 秀典 / Hidenori MIMURA |
| 第 12 著者 所属（和/英） | 静岡大学電子工学研究所 Research Institute of Electronics, Shizuoka University |
| 発表年月日 | 2008-01-31 |
| 資料番号 | ED2007-246,SDM2007-257 |
| 巻番号（vol） | vol.107 |
| 号番号（no） | 473 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
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