| 講演名 | 2008-01-17 高速・高信頼特性を有する0.5μmエミッタInP/InGaAs HBT(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス) 柏尾 典秀, 栗島 賢二, 深井 佳乃, 山幡 章司, |
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| 抄録(和) | 100Gbit/s級IC向け0.5μmエミッタInP/InGaAs HBTを開発した。高速化を図るために、エピタキシャル層を薄層化し、エミッタ幅を0.5μmまで微細化した。また、高電流密度動作において高い信頼性を確保するためにパッシベーションレッジ構造と耐熱性に優れたタングステン系エミッタ電極を導入した。作製したHBTは、コレクタ電流密度4mA/μm^2において、電流利得58、電流利得遮断周波数321GHz、最大発振周波数301GHzを示した。更に、加速寿命試験の結果より、電流利得の劣化モードの活性化エネルギーは1.5eVであり、接合温度125℃で外挿したデバイス寿命(MTTF)は1×10^8時間以上であることが明らかになった。 |
| 抄録(英) | We have developed 0.5-μm-emitter InP/InGaAs HBTs for 100-Gbit/s-class ICs. To boost f_t, the epitaxial layers of the HBT are thinned and the emitter width is scaled down to 0.5μm. To obtain high reliability, at a high collector current density, we used passivation ledge structures and tungsten-based emitter metal. The fabricated HBT exhibits a current gain of 58, an f_t of 321GHz, and an f_ |
| キーワード(和) | InPヘテロ接合バイポーラトランジスタ / レッジ構造 / 信頼性 |
| キーワード(英) | InP HBT / ledge structure / reliability |
| 資料番号 | ED2007-218,MW2007-149 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2008/1/9(から1日開催) |
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| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 高速・高信頼特性を有する0.5μmエミッタInP/InGaAs HBT(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Highly Reliable 0.5-μm-emitter InP/InGaAs HBT |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | InPヘテロ接合バイポーラトランジスタ / InP HBT |
| キーワード(2)（和/英） | レッジ構造 / ledge structure |
| キーワード(3)（和/英） | 信頼性 / reliability |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 柏尾 典秀 / Norihide KASHIO |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所 NTT Photonics Laboratories, NTT Corporation |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 栗島 賢二 / Kenji KURISHIMA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所 NTT Photonics Laboratories, NTT Corporation |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 深井 佳乃 / Yoshino K. FUKAI |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所 NTT Photonics Laboratories, NTT Corporation |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 山幡 章司 / Shoji YAMAHATA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所 NTT Photonics Laboratories, NTT Corporation |
| 発表年月日 | 2008-01-17 |
| 資料番号 | ED2007-218,MW2007-149 |
| 巻番号（vol） | vol.107 |
| 号番号（no） | 420 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
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