| 講演名 | 2008-01-25 Nb接合回路プロセスにおけるエッチング技術 : Nb膜の反応性イオンエッチング(RIE)(デジタル,一般) 前澤 正明, 平山 文紀, ゴルワドカル スチェータ, |
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| 抄録(和) | Nb/AlO_x/Nb接合を用いた超伝導集積回路プロセスにおけるエッチング技術について報告する.Nb接合集積回路プロセスを最適化する際に得られたNb膜の反応性イオンエッチング(RIE)に関するノウハウ的な実験結果を紹介する.エッチング深さのRIE時間依存性,パターンシフト量の制御性,同一層内の短絡欠陥確率の評価などの実験結果の詳細を述べる.また,RIEプロセスにおけるプラズマ誘起電流が接合特性へ与える影響を検討する. |
| 抄録(英) | Reactive ion etching (RIE) techniques for Nb films are presented. We report in detail experimental results which were obtained during optimization of our standard Nb/AlO_x/Nb-junction technology for superconductor integrated circuits. Technical issues including dependence of etch depth on RIE time, controllability of pattern shifts and probability of intra-layer short defects are described. We also discuss possible damage to the junctions associated with plasma-induced currents during RIE processes. |
| キーワード(和) | ジョセフソン接合 / 単一磁束量子回路 / RSFQ / 超伝導集積回路 / RIE / 反応性イオンエッチング |
| キーワード(英) | Josephson junction / Rapid Single Flux Quantum / RSFQ / Superconductor circuit / RIE / Reactive ion etching |
| 資料番号 | SCE2007-30 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SCE |
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| 開催期間 | 2008/1/18(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Superconductive Electronics (SCE) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | Nb接合回路プロセスにおけるエッチング技術 : Nb膜の反応性イオンエッチング(RIE)(デジタル,一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Technical issues of etching process for Nb-junction circuit technology : Reactive ion etching (RIE) of Nb films |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | ジョセフソン接合 / Josephson junction |
| キーワード(2)（和/英） | 単一磁束量子回路 / Rapid Single Flux Quantum |
| キーワード(3)（和/英） | RSFQ / RSFQ |
| キーワード(4)（和/英） | 超伝導集積回路 / Superconductor circuit |
| キーワード(5)（和/英） | RIE / RIE |
| キーワード(6)（和/英） | 反応性イオンエッチング / Reactive ion etching |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 前澤 正明 / Masaaki MAEZAWA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 AIST Tsukuba Central |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 平山 文紀 / Fuminori HIRAYAMA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 AIST Tsukuba Central |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | ゴルワドカル スチェータ / Sucheta GORWADKAR |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 AIST Tsukuba Central |
| 発表年月日 | 2008-01-25 |
| 資料番号 | SCE2007-30 |
| 巻番号（vol） | vol.107 |
| 号番号（no） | 458 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
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