| 講演名 | 2008-01-25 窒化ニオブ電極を用いたオーバーダンプ型ジョセフソン接合の開発(デジタル,一般) 赤池 宏之, 金田 亮平, 長井 友樹, 藤巻 朗, |
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| 抄録(和) | 本論文では、将来の単一磁束量子(SFQ)回路用接合技術として現在検討を進めている窒化ニオブ(NbN)を用いた4K動作セルフシャント型オーバーダンプ接合開発の現状について、将来展望とともに述べる。NbN接合はNbより大きなエネルギーギャップを持つため高いIcRn積が期待され、SFQ回路の高速化・受動配線線幅縮小による配線密度の向上につながる。さらに、セルフシャント型接合が実現すると、SFQ回路の高集積化が可能となる。本研究では、接合構造として超伝導体(S)-常伝導体(N)-絶縁体(I)-常伝導体(N)-超伝導体(S)接合を採用することによりセルフシャント型接合の実現を目指し、I層として窒化アルミニウム(AlN)、N層としてNbNxを用いることにした。ここでは、本接合の実現に向けてこれまでに得られた成果について述べる。 |
| 抄録(英) | This paper describes the current status and future prospect of the development of self-shunted overdamped junctions with NbN electrodes which we have been conducting as a junction technology for future single-flux-quantum (SFQ) circuits. NbN junctions are expected to have high IcRn products because of the larger energy gap of NbN than that of Nb, and will lead to higher speed operation of SFQ circuits and higher density interconnect in the circuits due to the reduction of interconnect line width. In addition, the realization of a self-shunted junction will enable us to increase integration level of the circuits. In this work, we have adopted a superconductor (S)-normal layer (N)-insulating layer (I)-normal layer (N)-superconductor (S) junction as a junction structure for a self-shunted junction, and done AlN as an I layer and NbNx as an N layer. Here, our achievement for realization of the junction is described. |
| キーワード(和) | 単一磁束量子回路 / 窒化ニオブ / オーバーダンプ型ジョセフソン接合 |
| キーワード(英) | Single flux quantum circuits / Niobium-nitride / overdamped Josephson junctions |
| 資料番号 | SCE2007-27 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SCE |
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| 開催期間 | 2008/1/18(から1日開催) |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Superconductive Electronics (SCE) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 窒化ニオブ電極を用いたオーバーダンプ型ジョセフソン接合の開発(デジタル,一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Development of overdamped Josephson junctions with NbN electrodes |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 単一磁束量子回路 / Single flux quantum circuits |
| キーワード(2)（和/英） | 窒化ニオブ / Niobium-nitride |
| キーワード(3)（和/英） | オーバーダンプ型ジョセフソン接合 / overdamped Josephson junctions |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 赤池 宏之 / Hiroyuki AKAIKE |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 名古屋大学大学院工学研究科量子工学専攻 Department of Quantum Engineering, Nagoya University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 金田 亮平 / Ryouhei KANADA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 名古屋大学大学院工学研究科量子工学専攻 Department of Quantum Engineering, Nagoya University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 長井 友樹 / Yuki NAGAI |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 名古屋大学大学院工学研究科量子工学専攻 Department of Quantum Engineering, Nagoya University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 藤巻 朗 / Akira Fujimaki |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 名古屋大学大学院工学研究科量子工学専攻 Department of Quantum Engineering, Nagoya University |
| 発表年月日 | 2008-01-25 |
| 資料番号 | SCE2007-27 |
| 巻番号（vol） | vol.107 |
| 号番号（no） | 458 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |