講演名 | 2007-12-07 トンネル注入量子井戸レーザにおけるキャリア注入確率と再結合確率の解析(半導体レーザ関連技術,及び一般) 比嘉 康貴, 宮本 智之, 中島 浩, 藤本 康介, 小山 二三夫, |
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抄録(和) | 量子井戸活性層にキャリア遷移過程を制御して注入する構造を併設したトンネル注入量子井戸構造において,活性層へのキャリア注入確率と発光再結合確率の構造依存性を理論的に解析し,本構造を有したレーザデバイス設計の指針を示した.従来構造ではキャリア注入確率を制御していないが,本構造では注入領域の構造を変化させることでその制御が可能になり,より高速な(<10ps)キャリア注入といった特性が可能になる.本報告では注入層の厚さと組成を変化させて,そのキャリア注入確率をLOフォノン散乱確率を基に解析し,その際の発光再結合確率とあわせてレーザデバイスに適した活性層を設計する指針について報告する. |
抄録(英) | Carrier injection rate in tunnel injection quantum well structure was investigated thorough theoretical analysis. Tunnel injection quantum well structure can be designed to control the carrier injection rate. In this structure, the carrier transition time to active well was a few picoseconds when the structure was designed for high speed transition. In this report, we suggest the guideline for determination the structure of semiconductor lasers for high speed operation. |
キーワード(和) | トンネル注入構造 / LOフォノン散乱 / 高速動作 |
キーワード(英) | Tunnel injection / LO phonon scattering / High speed operation |
資料番号 | LQE2007-116 |
発行日 |
研究会情報 | |
研究会 | LQE |
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開催期間 | 2007/11/30(から1日開催) |
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講演論文情報詳細 | |
申込み研究会 | Lasers and Quantum Electronics (LQE) |
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本文の言語 | JPN |
タイトル(和) | トンネル注入量子井戸レーザにおけるキャリア注入確率と再結合確率の解析(半導体レーザ関連技術,及び一般) |
サブタイトル(和) | |
タイトル(英) | Theoretical Analysis of Carrier Injection Rate and Recombination Rate in Tunnel Injection Quantum Well Lasers |
サブタイトル(和) | |
キーワード(1)(和/英) | トンネル注入構造 / Tunnel injection |
キーワード(2)(和/英) | LOフォノン散乱 / LO phonon scattering |
キーワード(3)(和/英) | 高速動作 / High speed operation |
第 1 著者 氏名(和/英) | 比嘉 康貴 / Yasutaka Higa |
第 1 著者 所属(和/英) | 東京工業大学マイクロシステム研究センター Microsystem Research Center, Tokyo Institute of Technology |
第 2 著者 氏名(和/英) | 宮本 智之 / Tomoyuki Miyamoto |
第 2 著者 所属(和/英) | 東京工業大学マイクロシステム研究センター Microsystem Research Center, Tokyo Institute of Technology |
第 3 著者 氏名(和/英) | 中島 浩 / Hiroshi Nakajima |
第 3 著者 所属(和/英) | 東京工業大学マイクロシステム研究センター Microsystem Research Center, Tokyo Institute of Technology |
第 4 著者 氏名(和/英) | 藤本 康介 / Kosuke Fujimoto |
第 4 著者 所属(和/英) | 東京工業大学マイクロシステム研究センター Microsystem Research Center, Tokyo Institute of Technology |
第 5 著者 氏名(和/英) | 小山 二三夫 / Fumio Koyama |
第 5 著者 所属(和/英) | 東京工業大学マイクロシステム研究センター Microsystem Research Center, Tokyo Institute of Technology |
発表年月日 | 2007-12-07 |
資料番号 | LQE2007-116 |
巻番号(vol) | vol.107 |
号番号(no) | 372 |
ページ範囲 | pp.- |
ページ数 | 6 |
発行日 |