講演名 | 2007-12-07 AlGaInAs系電界吸収型変調器集積λ/4シフトDFBレーザの高出力10Gb/s動作(半導体レーザ関連技術,及び一般) 高田 幹, 秋山 傑, 松田 学, 奥村 滋一, 江川 満, 山本 剛之, |
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抄録(和) | 出力が高く長距離伝送が可能で、かつ安定な単一モード発振が得られる光通信用光源を目的として、レーザ部と変調器部の活性層にAlGaInAs系多重量子井戸構造を適用し、レーザ部をλ/4シフトDFBとした電界吸収型変調器集積DFBレーザを開発した。作製した素子において、53℃で+3.0dBmという高い光出力と安定な単一モード発振、及び良好な10Gb/s、100kmシングルモードファイバ伝送を実現した。 |
抄録(英) | High-power 10-Gb/s semi-cooled operation was attained for AlGaInAs electroabsorption modulator integrated AlGaInAs λ/4-shifted DFB lasers. At 53℃, a 10-Gb/s 100-km transmission was achieved with an average fiber output power of+3.0dBm. |
キーワード(和) | 電界吸収型変調器集積DFBレーザ / AlGaInAs |
キーワード(英) | Electroabsorption Modulator Integrated DFB Laser (EML) / AlGaInAs |
資料番号 | LQE2007-114 |
発行日 |
研究会情報 | |
研究会 | LQE |
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開催期間 | 2007/11/30(から1日開催) |
開催地(和) | |
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テーマ(和) | |
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幹事補佐氏名(和) | |
幹事補佐氏名(英) |
講演論文情報詳細 | |
申込み研究会 | Lasers and Quantum Electronics (LQE) |
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本文の言語 | JPN |
タイトル(和) | AlGaInAs系電界吸収型変調器集積λ/4シフトDFBレーザの高出力10Gb/s動作(半導体レーザ関連技術,及び一般) |
サブタイトル(和) | |
タイトル(英) | High-Power 10-Gb/s Semi-Cooled Operation of AlGaInAs Electroabsorption Modulator Integrated λ/4-Shifted DFB Laser |
サブタイトル(和) | |
キーワード(1)(和/英) | 電界吸収型変調器集積DFBレーザ / Electroabsorption Modulator Integrated DFB Laser (EML) |
キーワード(2)(和/英) | AlGaInAs / AlGaInAs |
第 1 著者 氏名(和/英) | 高田 幹 / Kan TAKADA |
第 1 著者 所属(和/英) | (株)富士通研究所 Fujitsu Laboratories Ltd. |
第 2 著者 氏名(和/英) | 秋山 傑 / Suguru AKIYAMA |
第 2 著者 所属(和/英) | (株)富士通研究所 Fujitsu Laboratories Ltd. |
第 3 著者 氏名(和/英) | 松田 学 / Manabu MATSUDA |
第 3 著者 所属(和/英) | (株)富士通研究所 Fujitsu Laboratories Ltd. |
第 4 著者 氏名(和/英) | 奥村 滋一 / Shigekazu OKUMURA |
第 4 著者 所属(和/英) | (株)富士通研究所 Fujitsu Laboratories Ltd. |
第 5 著者 氏名(和/英) | 江川 満 / Mitsuru EKAWA |
第 5 著者 所属(和/英) | (株)富士通研究所 Fujitsu Laboratories Ltd. |
第 6 著者 氏名(和/英) | 山本 剛之 / Tsuyoshi YAMAMOTO |
第 6 著者 所属(和/英) | (株)富士通研究所 Fujitsu Laboratories Ltd. |
発表年月日 | 2007-12-07 |
資料番号 | LQE2007-114 |
巻番号(vol) | vol.107 |
号番号(no) | 372 |
ページ範囲 | pp.- |
ページ数 | 4 |
発行日 |