講演名 2007-12-07
AlGaInAs系電界吸収型変調器集積λ/4シフトDFBレーザの高出力10Gb/s動作(半導体レーザ関連技術,及び一般)
高田 幹, 秋山 傑, 松田 学, 奥村 滋一, 江川 満, 山本 剛之,
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抄録(和) 出力が高く長距離伝送が可能で、かつ安定な単一モード発振が得られる光通信用光源を目的として、レーザ部と変調器部の活性層にAlGaInAs系多重量子井戸構造を適用し、レーザ部をλ/4シフトDFBとした電界吸収型変調器集積DFBレーザを開発した。作製した素子において、53℃で+3.0dBmという高い光出力と安定な単一モード発振、及び良好な10Gb/s、100kmシングルモードファイバ伝送を実現した。
抄録(英) High-power 10-Gb/s semi-cooled operation was attained for AlGaInAs electroabsorption modulator integrated AlGaInAs λ/4-shifted DFB lasers. At 53℃, a 10-Gb/s 100-km transmission was achieved with an average fiber output power of+3.0dBm.
キーワード(和) 電界吸収型変調器集積DFBレーザ / AlGaInAs
キーワード(英) Electroabsorption Modulator Integrated DFB Laser (EML) / AlGaInAs
資料番号 LQE2007-114
発行日

研究会情報
研究会 LQE
開催期間 2007/11/30(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Lasers and Quantum Electronics (LQE)
本文の言語 JPN
タイトル(和) AlGaInAs系電界吸収型変調器集積λ/4シフトDFBレーザの高出力10Gb/s動作(半導体レーザ関連技術,及び一般)
サブタイトル(和)
タイトル(英) High-Power 10-Gb/s Semi-Cooled Operation of AlGaInAs Electroabsorption Modulator Integrated λ/4-Shifted DFB Laser
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) 電界吸収型変調器集積DFBレーザ / Electroabsorption Modulator Integrated DFB Laser (EML)
キーワード(2)(和/英) AlGaInAs / AlGaInAs
第 1 著者 氏名(和/英) 高田 幹 / Kan TAKADA
第 1 著者 所属(和/英) (株)富士通研究所
Fujitsu Laboratories Ltd.
第 2 著者 氏名(和/英) 秋山 傑 / Suguru AKIYAMA
第 2 著者 所属(和/英) (株)富士通研究所
Fujitsu Laboratories Ltd.
第 3 著者 氏名(和/英) 松田 学 / Manabu MATSUDA
第 3 著者 所属(和/英) (株)富士通研究所
Fujitsu Laboratories Ltd.
第 4 著者 氏名(和/英) 奥村 滋一 / Shigekazu OKUMURA
第 4 著者 所属(和/英) (株)富士通研究所
Fujitsu Laboratories Ltd.
第 5 著者 氏名(和/英) 江川 満 / Mitsuru EKAWA
第 5 著者 所属(和/英) (株)富士通研究所
Fujitsu Laboratories Ltd.
第 6 著者 氏名(和/英) 山本 剛之 / Tsuyoshi YAMAMOTO
第 6 著者 所属(和/英) (株)富士通研究所
Fujitsu Laboratories Ltd.
発表年月日 2007-12-07
資料番号 LQE2007-114
巻番号(vol) vol.107
号番号(no) 372
ページ範囲 pp.-
ページ数 4
発行日