| 講演名 | 2007-12-14 4H-SiC nMOSFETおよびpMOSFETに対するチャージポンピング測定(シリコン関連材料の作製と評価) 岡本 大, 矢野 裕司, 畑山 智亮, 浦岡 行治, 冬木 隆, |
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| 抄録(和) | 4H-SiC nMOSFETとpMOSFETに対してチャージポンピング(CP)測定を行った.nチャネルMOSFETに対してCP特性を調べた結果,ゲートパルスの立ち下がり時間を変えることによって,CP曲線が大きく変化した.この変化はNOアニールを行っていない,チャネル移動度が低いMOSFETで顕著であった.このことより,SiC MOSFETに対するCP測定では,形状成分が発生しやすいことが明らかになった.また,伝導帯近傍に高密度に存在するアクセプタ型界面トラップの影響によって,CP曲線が歪むことも明らかにした.4H-SiCに対するCP曲線は,これら二つの効果によって特異的な形になるため,解析が難しくなる.正確な測定のためには,十分長いパルス立ち下がり時間を用いることにより,形状成分を抑えることが重要である. |
| 抄録(英) | Charge-pumping measurements were conducted on n-channel and p-channel 4H-SiC MOSFET's with and without NO annealing. The measurements with different pulse-fall times revealed that the geometric component exists in 4H-SiC MOSFET's and is especially large in the unannealed n-channel 4H-SiC MOSFET's with low channel mobility. In addition, influence of interface-trapped charges is large in the unannealed 4H-SiC MOSFET's. The charge-pumping curves are distorted by these two non-ideal effects, and therefore, the analysis of the charge-pumping curves is difficult. A sufficiently long fall-time is needed to minimize the effect of geometric component. |
| キーワード(和) | SiC / MOS界面 / チャージポンピング測定 / 界面トラップ電荷 / NOアニール / 形状成分 |
| キーワード(英) | SiC / MOS interface / Charge pumping / Interface trapped charges / NO annealing / Geometric component |
| 資料番号 | SDM2007-234 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2007/12/7(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 4H-SiC nMOSFETおよびpMOSFETに対するチャージポンピング測定(シリコン関連材料の作製と評価) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Charge-Pumping Measurements on 4H-SiC nMOSFETs and pMOSFETs |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | SiC / SiC |
| キーワード(2)（和/英） | MOS界面 / MOS interface |
| キーワード(3)（和/英） | チャージポンピング測定 / Charge pumping |
| キーワード(4)（和/英） | 界面トラップ電荷 / Interface trapped charges |
| キーワード(5)（和/英） | NOアニール / NO annealing |
| キーワード(6)（和/英） | 形状成分 / Geometric component |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 岡本 大 / Dai OKAMOTO |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科 Graduate School of Materials Science, Nara Institute of Science and Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 矢野 裕司 / Hiroshi YANO |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科 Graduate School of Materials Science, Nara Institute of Science and Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 畑山 智亮 / Tomoaki HATAYAMA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科 Graduate School of Materials Science, Nara Institute of Science and Technology |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 浦岡 行治 / Yukiharu URAOKA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科 Graduate School of Materials Science, Nara Institute of Science and Technology |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 冬木 隆 / Takashi FUYUKI |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科 Graduate School of Materials Science, Nara Institute of Science and Technology |
| 発表年月日 | 2007-12-14 |
| 資料番号 | SDM2007-234 |
| 巻番号（vol） | vol.107 |
| 号番号（no） | 388 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |